公开(公告)号：CN101016638A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710004205.7

申请日：2007-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·G·马尔霍特拉 ,  H·德利吉安尼 ,  O·范德斯特拉滕 ,  邵晓燕 ,  S·M·罗斯纳格尔 ,  戴聪麟

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  Y10S438/952

Abstract: 一种用于在半导体结构中形成互连的方法，包括如下步骤：在衬底上形成介质层，在介质层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层选自钌，铂，钯，铑和铱，并且其中控制第二阻挡层的形成，以便在第二阻挡层中氧的体浓度为20原子百分比或更少，并且在第二阻挡层上形成导体层。该方法可以附加地包括处理第二阻挡层以减小在第二阻挡层的表面上的氧含量的步骤。

公开(公告)号：CN103518264A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022399.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·戈德布拉特 ,  H·J·霍维尔 ,  邵晓燕 ,  S·E·斯特恩

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/18 ,  E04H4/00 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本公开涉及用于光伏电池中的接触栅格以及制造包括这些接触栅格的光伏电池的方法，其中接触栅格指状物的横截面的形状为梯形。本公开的接触栅格是成本有效的，并且由于它们是厚金属栅格而呈现最小的电阻。尽管具有厚的金属栅格，但是本公开的接触栅格指状物的独特形状允许它们被用于的光伏电池与传统太阳能电池相比保留更多的太阳能，这是通过将入射的太阳能反射回到太阳能电池的表面上而不是将入射的太阳能反射离开电池而实现的。

公开(公告)号：CN101395720A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007826.9

申请日：2007-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  H·德利吉安尼 ,  R·F·克纳尔 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·罗斯纳格尔 ,  邵晓燕 ,  A·托波尔 ,  P·M·韦雷肯

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种接触冶金结构，包括在衬底上的具有腔的构图的介质层；位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层；包括Ti或Ti/TiN的接触层，位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层；位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层；位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层；使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时，在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时，例如钌、铑、铂、或铱，不需要所述籽晶层。

公开(公告)号：CN103518264B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280022399.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·戈德布拉特 ,  H·J·霍维尔 ,  邵晓燕 ,  S·E·斯特恩

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/18 ,  E04H4/00 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本公开涉及用于光伏电池中的接触栅格以及制造包括这些接触栅格的光伏电池的方法，其中接触栅格指状物的横截面的形状为梯形。本公开的接触栅格是成本有效的，并且由于它们是厚金属栅格而呈现最小的电阻。尽管具有厚的金属栅格，但是本公开的接触栅格指状物的独特形状允许它们被用于的光伏电池与传统太阳能电池相比保留更多的太阳能，这是通过将入射的太阳能反射回到太阳能电池的表面上而不是将入射的太阳能反射离开电池而实现的。

公开(公告)号：CN100587917C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101111927A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101663753A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012653.4

申请日：2008-03-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 邵晓燕 ,  H·德利吉安尼

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53242 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/12007 ,  H01L2924/00

Abstract: 由这样的方法制成铑接触结构，该方法包括：获得其上具有介电层的衬底，其中所述介电层具有凹槽，所述铑接触将沉积在所述凹槽中；在所述凹槽中和所述介电层上沉积籽晶层；以及通过包括铑盐、酸和应力减轻剂的浴液进行电镀而沉积铑；然后可选地对该结构进行退火。