公开(公告)号：CN116529874A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180069074.9

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·F·马尼斯卡科 ,  郑镇权 ,  本山幸一 ,  O·范德斯特拉滕 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第一光致抗蚀剂层，随后去除从第一柱凸块向外延伸的籽晶层的部分，籽晶层的一部分保留在第一柱凸块下方。

公开(公告)号：CN101390204B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780006677.4

申请日：2007-03-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  T·A·斯普纳 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构及其制造方法，所述互连结构包括在过孔开口中的一个的底部处的刨削特征。根据本发明，形成所述互连结构的方法既不会损坏在上覆的线路开口中的淀积的扩散阻挡层的覆盖，也不会将Ar溅射引起的损伤引入到包括过孔和线路开口的介质材料中。根据本发明，这样的互连结构只在所述过孔开口内而不在所述上覆的线路开口中包含扩散阻挡层。该特征增强了所述过孔开口区域周围的机械强度和扩散特性而不会减小在所述线路开口内部的导体的体积分数。根据本发明，通过在形成所述线路开口和在所述线路开口中淀积扩散阻挡层之前在所述过孔开口底部提供刨削特征，来获得这样的互连结构。

公开(公告)号：CN101016638A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710004205.7

申请日：2007-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·G·马尔霍特拉 ,  H·德利吉安尼 ,  O·范德斯特拉滕 ,  邵晓燕 ,  S·M·罗斯纳格尔 ,  戴聪麟

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  Y10S438/952

Abstract: 一种用于在半导体结构中形成互连的方法，包括如下步骤：在衬底上形成介质层，在介质层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层选自钌，铂，钯，铑和铱，并且其中控制第二阻挡层的形成，以便在第二阻挡层中氧的体浓度为20原子百分比或更少，并且在第二阻挡层上形成导体层。该方法可以附加地包括处理第二阻挡层以减小在第二阻挡层的表面上的氧含量的步骤。

公开(公告)号：CN116998238A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021117.0

申请日：2022-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·米尼奥 ,  O·范德斯特拉滕 ,  D·侯萨梅丁

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底层、形成在所述基底层上的第一MRAM器件和形成在所述基底层上的第二MRAM器件。所述第一MRAM器件具有与所述第二MRAM器件不同的性能特性。

公开(公告)号：CN101438404B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780015989.1

申请日：2007-05-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可靠的和机械强度高的互连结构，所述互连结构不包括在开口的底部中的刨槽特征。替代地，本发明的互连结构利用了包含Co的缓冲层，所述包含Co的缓冲层被选择性地淀积在下互连层中的导电特征的暴露表面上。通过存在于上互连层的介质材料中的至少一个开口进行所述选择性淀积。所述包含Co的缓冲层包括Co和至少P和B中的一种。可选地在所述包含Co的缓冲层中还存在W。

公开(公告)号：CN115066749A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180012703.4

申请日：2021-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·马尼斯卡尔科 ,  本山幸一 ,  O·范德斯特拉滕 ,  S·德夫里 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L23/532

Abstract: 一种互连结构及其形成方法，包括在介电层内形成凹槽，并在凹槽内保形沉积阻挡层。在阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，通过在第一衬里上方堆叠第二衬里来形成含钴的钌衬里，第一衬里位于阻挡层上方。第一衬里包括钌，而第二衬里包括钴。钴原子从第二衬里迁移到第一衬里，形成注入钴的钌衬里。在注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充凹槽，随后沉积由钴制成的覆盖层。

公开(公告)号：CN101438404A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780015989.1

申请日：2007-05-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可靠的和机械强度高的互连结构，所述互连结构不包括在开口的底部中的刨槽特征。替代地，本发明的互连结构利用了包含Co的缓冲层，所述包含Co的缓冲层被选择性地淀积在下互连层中的导电特征的暴露表面上。通过存在于上互连层的介质材料中的至少一个开口进行所述选择性淀积。所述包含Co的缓冲层包括Co和至少P和B中的一种。可选地在所述包含Co的缓冲层中还存在W。

公开(公告)号：CN116601706A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180084132.5

申请日：2021-12-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·范德斯特拉滕 ,  本山幸一 ,  郑镇权 ,  J·马尼斯卡尔科 ,  杨智超

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种存储装置及其形成方法，包括在导电结构上方的底部电极，该导电结构被嵌入在互连电介质材料中。位于所述底部电极上方的磁性隧道结堆叠由所述底部电极上方的磁性参考层、所述磁性参考层上方的隧道势垒层、以及所述隧道势垒层上方的横向凹陷的磁性自由层形成。侧壁间隔物围绕所述横向凹陷的磁性自由层，以用于限制由所述横向凹陷的磁性自由层和所述隧道势垒层形成的有源区。

公开(公告)号：CN101390204A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006677.4

申请日：2007-03-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  T·A·斯普纳 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构及其制造方法，所述互连结构包括在过孔开口中的一个的底部处的刨削特征。根据本发明，形成所述互连结构的方法既不会损坏在上覆的线路开口中的淀积的扩散阻挡层的覆盖，也不会将Ar溅射引起的损伤引入到包括过孔和线路开口的介质材料中。根据本发明，这样的互连结构只在所述过孔开口内而不在所述上覆的线路开口中包含扩散阻挡层。该特征增强了所述过孔开口区域周围的机械强度和扩散特性而不会减小在所述线路开口内部的导体的体积分数。根据本发明，通过在形成所述线路开口和在所述线路开口中淀积扩散阻挡层之前在所述过孔开口底部提供刨削特征，来获得这样的互连结构。