公开(公告)号：CN1252541C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN00103850.8

申请日：2000-03-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·瓦拉纳斯 ,  J·F·马尼斯卡科

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

Abstract: 一种酸催化正型光刻胶组合物，它可以用193nm波长射线成像，而且可以显影形成高分辨及高抗蚀性的光刻胶结构物，所述组合物可以采用环烯烃聚合物、光敏产酸剂及含多个酸不稳定性连接基团的疏水非甾族多脂环组份的混合物。所述环烯烃聚合物优选含有：i)带有极性官能团的环烯烃单元；ii)具有酸不稳定性基团的环烯烃单元，所述酸不稳定性基团能抑制碱水溶液中的溶解度。

公开(公告)号：CN1269530A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00103850.8

申请日：2000-03-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·瓦拉纳斯 ,  J·F·马尼斯卡科

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

Abstract: 一种酸催化正型光刻胶组合物,它可以用193nm波长射线成像,而且可以显影形成高分辨及高抗蚀性的光刻胶结构物,所述组合物可以采用环烯烃聚合物、光敏产酸剂及含多个酸不稳定性连接基团的疏水非甾族多脂环组份的混合物。所述环烯烃聚合物优选含有:i)带有极性官能团的环烯烃单元;ii)具有酸不稳定性基团的环烯烃单元,所述酸不稳定性基团能抑制碱水溶液中的溶解度。

公开(公告)号：CN116529874A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180069074.9

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·F·马尼斯卡科 ,  郑镇权 ,  本山幸一 ,  O·范德斯特拉滕 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第一光致抗蚀剂层，随后去除从第一柱凸块向外延伸的籽晶层的部分，籽晶层的一部分保留在第一柱凸块下方。

公开(公告)号：CN1267001A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN00101869.8

申请日：2000-02-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·瓦拉纳斯 ,  R·D·阿伦 ,  T·I·瓦洛 ,  J·奥皮茨 ,  R·A·德彼得罗 ,  M·C·拉森 ,  A·M·梅惠特 ,  J·F·马尼斯卡科 ,  G·M·杰德哈默

IPC: G03F7/028

Abstract: 一种酸催化正型光刻胶组合物,它可以用193nm波长射线成像,而且可以显影形成高分辨及高抗蚀性的光刻胶结构物,所述组合物可以采用环烯烃聚合物、光敏产酸剂及饱和甾族化合物组份的混合物。所述环烯烃聚合物优选含有:i)带有极性官能团的环烯烃单元;ii)具有酸不稳定性基团的环烯烃单元,所述酸不稳定性基团能抑制碱水溶液中的溶解度。