公开(公告)号：CN116601706A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180084132.5

申请日：2021-12-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·范德斯特拉滕 ,  本山幸一 ,  郑镇权 ,  J·马尼斯卡尔科 ,  杨智超

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种存储装置及其形成方法，包括在导电结构上方的底部电极，该导电结构被嵌入在互连电介质材料中。位于所述底部电极上方的磁性隧道结堆叠由所述底部电极上方的磁性参考层、所述磁性参考层上方的隧道势垒层、以及所述隧道势垒层上方的横向凹陷的磁性自由层形成。侧壁间隔物围绕所述横向凹陷的磁性自由层，以用于限制由所述横向凹陷的磁性自由层和所述隧道势垒层形成的有源区。

公开(公告)号：CN115066749A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180012703.4

申请日：2021-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·马尼斯卡尔科 ,  本山幸一 ,  O·范德斯特拉滕 ,  S·德夫里 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L23/532

Abstract: 一种互连结构及其形成方法，包括在介电层内形成凹槽，并在凹槽内保形沉积阻挡层。在阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，通过在第一衬里上方堆叠第二衬里来形成含钴的钌衬里，第一衬里位于阻挡层上方。第一衬里包括钌，而第二衬里包括钴。钴原子从第二衬里迁移到第一衬里，形成注入钴的钌衬里。在注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充凹槽，随后沉积由钴制成的覆盖层。