公开(公告)号：CN108026663B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN108026663A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056202.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 江藤数马 ,  加藤智久 ,  周防裕政 ,  德田雄一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 一种p型4H－SiC单晶，其共掺杂有铝和氮，且氮浓度为2.0×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN109715867A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057496.8

申请日：2017-09-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 江藤数马 ,  周防裕政 ,  加藤智久

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203

Abstract: 本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。

公开(公告)号：CN104981324A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480008414.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 贵堂高德 ,  加藤智久

IPC: B24B1/00 ,  B24D3/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/245 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。

公开(公告)号：CN110872731B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910802908.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 周防裕政 ,  江藤数马 ,  加藤智久

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  C30B31/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H‑SiC单晶基板。本发明的n型4H‑SiC单晶基板，作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×1018/cm3以上，并且，贯穿位错密度小于4000个/cm2。

公开(公告)号：CN109715867B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201780057496.8

申请日：2017-09-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 江藤数马 ,  周防裕政 ,  加藤智久

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203

Abstract: 本公开提供一种n型SiC单晶基板，该n型SiC单晶基板是将施主和受主共同掺杂进去的基板，基板的外周部的施主浓度与受主浓度之差小于中央部的施主浓度与受主浓度之差，并且外周部的施主浓度与受主浓度之差小于3.0×1019/cm3。

公开(公告)号：CN110872731A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910802908.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 周防裕政 ,  江藤数马 ,  加藤智久

IPC: C30B31/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 提供在掺杂有施主和受主这两者的构成中贯穿位错密度小、结晶性比以往提高了的n型4H-SiC单晶基板。本发明的n型4H-SiC单晶基板，作为施主的N元素的浓度和作为受主的B元素的浓度两者均为3×1018/cm3以上，并且，贯穿位错密度小于4000个/cm2。

公开(公告)号：CN104981324B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480008414.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 贵堂高德 ,  加藤智久

IPC: B24B1/00 ,  B24D3/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/245 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。

公开(公告)号：CN102400224A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110220363.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 广濑富佐雄 ,  小岛淳 ,  儿岛一聪 ,  加藤智久 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/00

Abstract: 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。

公开(公告)号：CN102400224B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110220363.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 广濑富佐雄 ,  小岛淳 ,  儿岛一聪 ,  加藤智久 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/00

Abstract: 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。