-
公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC: C30B33/06
Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
-
公开(公告)号：CN111433874A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078599.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及消弧用绝缘材料成型体及断路器。所述消弧用绝缘材料成型体为包含每单位体积所含的氧原子量为1.75×10-2[mol/cm3]以上的热固化性树脂固化体的消弧用绝缘材料成型体。热固化性树脂固化体优选为包含以下的环氧树脂组合物的固化体：每1分子所含的氧原子数的比例为全部构成原子数的9.0％以上的环氧树脂和每1分子所含的氧原子数的比例为全部构成原子数的12.5％以上的酸酐。
-
公开(公告)号：CN106009456A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610178365.2
申请日：2016-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C08K7/08 , C08L45/00 , C08L2201/08 , H01H9/302 , C08L23/16 , C08K2003/2227
Abstract: 本发明的消弧用绝缘材料成型体(5)含有大于或等于50质量％的包含从至少1种烯类单体衍生的结构单元的交联聚合物。烯类单体在含有至少1种交联环烯类单体，该交联环烯类单体是在具有碳原子间双键的碳环构造的脂肪族化合物之中、在分子构造中具有多个碳原子间双键的化合物。
-
公开(公告)号：CN113454758B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201980091663.X
申请日：2019-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体元件的不良的技术。半导体装置的制造方法具备：形成层叠体的工序，该层叠体在半导体基板的第1主面上依次配设有粘接保护层、粘接层、剥离层、支撑基板；去除形成有多个电路元件的部分以外的半导体基板的工序；将形成有电路元件的部分接合到转印基板的工序；去除剥离层、支撑基板及粘接层的工序；通过化学处理去除粘接保护层的工序；以及分割多个电路元件的工序。
-
公开(公告)号：CN113841223A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473751A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
-
公开(公告)号：CN116868309A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180092263.8
申请日：2021-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法。将生长基板(3)上形成的氮化物半导体层(1)经由可逆性粘接层(4)与支承基板(5)贴合。其次，除去生长基板(3)，将新的基板(2)接合于露出的氮化物半导体层(1)，然后，将可逆性粘接层(4)和支承基板(5)除去。其结果，将氮化物半导体层(1)从生长基板(3)上转移到新的基板(2)上。在将氮化物半导体层(1)与新的基板(2)接合的工序中，进行使氮化物半导体层(1)与新的基板(2)加压接触的工序、使可逆性粘接层(4)软化的工序、和使可逆性粘接层(4)再固化的工序。
-
公开(公告)号：CN115298807A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098651.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , C01B32/182
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置，其具备：金刚石基板；设置在金刚石基板上的第一石墨烯层；设置在第一石墨烯层上的第二石墨烯层；设置在所述第二石墨烯层上的氮化物半导体层；和设置在所述氮化物半导体层上的具有电极的氮化物半导体元件，其中，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层作为金刚石基板和氮化物半导体层的界面层而设置。
-
公开(公告)号：CN102473751B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
-
公开(公告)号：CN113841223B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在(56)对比文件JP 2005141090 A,2005.06.02KR 101207412 B1,2012.12.04KR 20010100375 A,2001.11.14TW 586136 B,2004.05.01US 2002127791 A1,2002.09.12梁李敏;刘彩池;解新建;王清周.高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展.材料导报.2010,(第07期),全文.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.044 seconds)
