公开(公告)号：CN117377794A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037075.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明 ,  松前贵司 ,  仓岛优一 ,  日暮荣治 ,  高木秀树 ,  桧座秀一 ,  今村谦 ,  白柳裕介 ,  吉嗣晃治 ,  西村邦彦

IPC: C30B33/06

Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。

公开(公告)号：CN110663105A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201780090465.2

申请日：2017-05-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南条拓真 ,  林田哲郎 ,  吉嗣晃治 ,  古川彰彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 提供在使用氮化半导体的场效应型晶体管中，得到充分的大小的漏极电流的技术。在半导体基板(1)的上表面，形成作为Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的沟道层(3)，在沟道层(3)的上表面，形成具有比沟道层(3)的带隙大的带隙的作为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N的势垒层(4)。然后，在势垒层(4)的上表面，至少部分性地形成具有比势垒层(4)大的带隙的、作为绝缘体或者半导体的栅极绝缘膜(9)，在栅极绝缘膜(9)的上表面，形成栅电极(10)。然后，一边对栅电极(10)施加正的电压，一边进行热处理。

公开(公告)号：CN114930509A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080091781.3

申请日：2020-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉嗣晃治 ,  柳生荣治

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备形成于基板(10)上的氮化物半导体层叠构造(100)、形成于氮化物半导体层叠构造(100)上的源电极(104)、漏电极(105)及栅电极(106)、和覆盖在氮化物半导体层叠构造(100)上的表面保护膜(110)。氮化物半导体层叠构造(100)包括形成于基板(10)上的第1氮化物半导体层(101)和形成于第1氮化物半导体层(101)上且组成与第1氮化物半导体层(101)不同的第2氮化物半导体层(102)。表面保护膜(110)包括以与栅电极(106)相接的方式形成的第1绝缘膜(111)以及以与第1绝缘膜(111)邻接的方式形成且具有比第1绝缘膜(111)高的碳浓度的第2绝缘膜(112)。

公开(公告)号：CN110663105B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780090465.2

申请日：2017-05-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南条拓真 ,  林田哲郎 ,  吉嗣晃治 ,  古川彰彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 提供在使用氮化半导体的场效应型晶体管中，得到充分的大小的漏极电流的技术。在半导体基板(1)的上表面，形成作为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的沟道层(3)，在沟道层(3)的上表面，形成具有比沟道层(3)的带隙大的带隙的作为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的势垒层(4)。然后，在势垒层(4)的上表面，至少部分性地形成具有比势垒层(4)大的带隙的、作为绝缘体或者半导体的栅极绝缘膜(9)，在栅极绝缘膜(9)的上表面，形成栅电极(10)。然后，一边对栅电极(10)施加正的电压，一边进行热处理。

公开(公告)号：CN113939918A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201980097305.X

申请日：2019-06-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉嗣晃治 ,  仲村惠右 ,  柳生荣治

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明的目的在于提供具有高的散热性能的半导体装置。半导体装置(1001)具备：金刚石基板(23)，在上表面(109)形成有凹部(17)；氮化物半导体层(2、3)，形成于金刚石基板(23)的上表面(109)的凹部(17)的内部；以及电极(101、102、106)，形成于氮化物半导体层(2、3)上，氮化物半导体层(2、3)和电极(101、102、106)构成场效应晶体管，在金刚石基板(23)形成在厚度方向上贯通金刚石基板(23)而使源极电极(101)露出的源极通道孔(501)，该半导体装置还具备覆盖源极通道孔(501)的内壁和金刚石基板(23)的下表面的通道金属(502)。