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公开(公告)号:CN117377794A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202280037075.X
申请日:2022-05-31
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC: C30B33/06
Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10),其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成,其中,拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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公开(公告)号:CN117461109A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202280041517.8
申请日:2022-03-24
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种能在超高真空状态下高效放电的小型等离子体源,包括:第一磁体;第二磁体,被布置为对于第一磁体的第一磁极,其与第一磁极不同的第二磁极与之相对;第三磁体,在与第一磁体的第一磁极朝向相同的方向上,其与第一磁极不同的第二磁极与之相对,且围绕第一磁体布置;第四磁体,对于第三磁体的第二磁极,其与第二磁极不同的第一磁极与之相对,且围绕第二磁体布置;第一电极,设置在第一磁体的第一磁极以及第三磁体的第二磁极所在的一侧;第二电极,面向第一电极,设置在第二磁体的第二磁极和第四磁体的第一磁极所在的一侧;第三电极,布置在第一电极和第二电极之间。将第一磁体和第二磁体之间的距离与第三磁体和第四磁体之间的距离中较短的距离,除以第一至第四磁体的平均厚度的值,在1以上10以下。
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