公开(公告)号：CN117461109A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280041517.8

申请日：2022-03-24

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 仓岛优一 ,  本村大成 ,  柳町真也 ,  高木秀树 ,  日暮荣治 ,  松前贵司

IPC: H01J41/18 ,  H05H1/24 ,  G04F5/14

Abstract: 一种能在超高真空状态下高效放电的小型等离子体源，包括：第一磁体；第二磁体，被布置为对于第一磁体的第一磁极，其与第一磁极不同的第二磁极与之相对；第三磁体，在与第一磁体的第一磁极朝向相同的方向上，其与第一磁极不同的第二磁极与之相对，且围绕第一磁体布置；第四磁体，对于第三磁体的第二磁极，其与第二磁极不同的第一磁极与之相对，且围绕第二磁体布置；第一电极，设置在第一磁体的第一磁极以及第三磁体的第二磁极所在的一侧；第二电极，面向第一电极，设置在第二磁体的第二磁极和第四磁体的第一磁极所在的一侧；第三电极，布置在第一电极和第二电极之间。将第一磁体和第二磁体之间的距离与第三磁体和第四磁体之间的距离中较短的距离，除以第一至第四磁体的平均厚度的值，在1以上10以下。

公开(公告)号：CN109690731A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780045920.7

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱重工工作机械株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典 ,  后藤崇之 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种基材接合方法，在将第一基材(11)与第二基材(12)通过溅射蚀刻进行接合的基材接合方法中，第一基材(11)由半导体材料、化合物半导体材料、金属材料中的至少一种构成，所述基材接合方法进行如下工序：活化工序，向第一基材(11)的表面照射Ar等的气体(1)的离子粒子的射束(2)而对第一基材(11)的表面进行溅射蚀刻，从而使第一基材(11)的溅射粒子(Ms)粘附于第二基材(12)的表面；及接合工序，使粘附有第一基材(11)的溅射粒子(Ms)的第二基材(12)的表面与溅射蚀刻后的第一基材(11)的表面重叠而进行接合。

公开(公告)号：CN117377794A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037075.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明 ,  松前贵司 ,  仓岛优一 ,  日暮荣治 ,  高木秀树 ,  桧座秀一 ,  今村谦 ,  白柳裕介 ,  吉嗣晃治 ,  西村邦彦

IPC: C30B33/06

Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。

公开(公告)号：CN105283968A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480012061.8

申请日：2014-07-16

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  国立研究开发法人理化学研究所 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社爱发科 ,  东京应化工业株式会社

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  小久保光典 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  岛谷聪

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/22 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5009 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。