公开(公告)号：CN109690731A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780045920.7

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱重工工作机械株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典 ,  后藤崇之 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种基材接合方法，在将第一基材(11)与第二基材(12)通过溅射蚀刻进行接合的基材接合方法中，第一基材(11)由半导体材料、化合物半导体材料、金属材料中的至少一种构成，所述基材接合方法进行如下工序：活化工序，向第一基材(11)的表面照射Ar等的气体(1)的离子粒子的射束(2)而对第一基材(11)的表面进行溅射蚀刻，从而使第一基材(11)的溅射粒子(Ms)粘附于第二基材(12)的表面；及接合工序，使粘附有第一基材(11)的溅射粒子(Ms)的第二基材(12)的表面与溅射蚀刻后的第一基材(11)的表面重叠而进行接合。

公开(公告)号：CN107112199B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201580069954.0

申请日：2015-10-07

Applicant: 三菱重工工作机械株式会社

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  铃木毅典 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

Abstract: 一种半导体装置，将接合电极(23、26)及绝缘层(22、25)分别在表面(17A、18A)露出的晶圆进行常温接合而形成所述半导体装置，其特征在于，在表面(17A、18A)之间具备接合中间层(30)，所述接合中间层(30)单独表现出非导电性并且与接合电极(23、26)结合而表现出导电性。

公开(公告)号：CN107112199A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069954.0

申请日：2015-10-07

Applicant: 三菱重工工作机械株式会社

Inventor： 内海淳 ,  后藤崇之 ,  铃木毅典 ,  井手健介

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00

CPC classification number: B23K20/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/22 ,  B32B37/14 ,  B81C3/001 ,  H01L21/02 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15787

Abstract: 一种半导体装置，将接合电极(23、26)及绝缘层(22、25)分别在表面(17A、18A)露出的晶圆进行常温接合而形成所述半导体装置，其特征在于，在表面(17A、18A)之间具备接合中间层(30)，所述接合中间层(30)单独表现出非导电性并且与接合电极(23、26)结合而表现出导电性。