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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN103887330A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L21/28 , H01L29/41708 , H01L29/66272
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN119783332A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411816702.7
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F30/20 , G01J5/90 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出了一种大面阵红外焦平面探测器低温可靠性评价方法，包括采用仿真定性分析和测试定量分析结合的方式，对大面阵红外焦平面探测器进行低温可靠性评价；利用仿真计算来确定低温时芯片受力最大的区域，进而进行冷头结构低温面形测试，并计算低温时冷头基板平面度；以低温平面度和常温平面度的偏离，对探测器低温可靠性进行评价，并通过仿真结果和测试结果的交叉验证，提高评价的准确性。
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公开(公告)号：CN119761020A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411848061.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请提供一种元器件产品详细规范的正向设计方法，该方法包括：获取生产厂目标和/或用户需求；根据生产厂目标和/或用户需求，确定元器件目标定义，元器件目标定义包括关键指标要求、质量可靠性要求、环境适应性要求、用户特殊要求中至少一种；根据元器件目标定义，进行初步设计，初步设计包括确定元器件的功能性能指标、检验项目及试验应力和判据要求；基于初步设计，制定元器件的详细规范草案；基于元器件的详细规范草案，确定可靠性摸底数据；根据可靠性摸底数据和元器件目标定义，确定元器件产品详细规范。该方案可以从产品源头进行系统性规划和差异化设计元器件产品详细规范。
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