公开(公告)号：CN113092200A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110277641.1

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 焦强 ,  芮二明 ,  韩福禹 ,  刘文宝 ,  江理东

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N23/203

Abstract: 本发明涉及一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，包括：采用切割机或粗磨方式，切割或研磨样品，使样品观察区域裸露在外；采用热镶嵌方式将样品进行固定，除样品观察区域外，均被具有导电性的热镶嵌料包裹；采用粗磨砂纸，对样品观察区域进行研磨，在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头；采用金刚石磨盘并添加金刚石抛光液，对粗磨后的样品观察区域进行细磨，在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条。本发明采用物理制样，与现有化学腐蚀相比，在不破坏原有的晶粒形貌的基础上，更好的得到晶粒原始形貌，简便快捷的获取镍电极陶瓷电容器晶粒度。

公开(公告)号：CN119652431A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411819287.0

申请日：2024-12-11

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 朱纵野 ,  芮二明 ,  熊园园 ,  韩福禹 ,  刘亦光 ,  朱旭斌

IPC: H04B17/10 ,  H04B17/20

Abstract: 本发明提供了一种电子元器件S参数通用测试方法，包括仪器连接、网络分析仪设置、网络分析仪校准、测试夹具校准(去嵌入)、待测件(DUT)测试等，本发明的方法可以克服S参数测试过程中的各类影响，包括网络分析仪系统误差的影响、夹具影响等，以便精准测量电子元器件的S参数。

公开(公告)号：CN119644087A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411822165.7

申请日：2024-12-11

Applicant: 中国航天标准化研究所

Inventor： 焦强 ,  芮二明 ,  田智文 ,  韩福禹 ,  苏二鹏 ,  杨剑群

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT单粒子烧毁效应评价方法，适应各类GaN HEMT器件特点，可以对宇航用GaN HEMT器件的单粒子烧毁效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒GaN HEMT器件单粒子评估方法缺失问题。