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公开(公告)号:CN118693008A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410723628.8
申请日:2024-06-05
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: H01L23/34 , H01L23/427
Abstract: 本发明提出一种电子芯片温度调控结构及其温度调控方法,其结构包括:半导体材料基芯片、加热电阻、温度传感器、金属外壳及回液柱,其中:加热电阻、温度传感器集成在芯片上或芯片所处的散热结构金属基蒸发面上;金属外壳呈凹形,其凹底装配有回液柱,回液柱周围烧结金属粉末形成吸液芯结构;芯片的背面与金属外壳形成空腔,内灌充工质;加热电阻与温度传感器与外部控制器相连。外部控制器接收温度测量信息,当温度超过阈值则对加热电阻加电、使其对内部工质加热;工质吸收热量转变为气相,接触到金属壳体及回液柱后冷凝转为液态,将热量传导出去。本发明具有低功耗、可实现多工况下自适应高效温度调节的优点,并且与芯片的常规封装方式可兼容。
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公开(公告)号:CN119652431A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411819287.0
申请日:2024-12-11
Applicant: 中国航天标准化研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子元器件S参数通用测试方法,包括仪器连接、网络分析仪设置、网络分析仪校准、测试夹具校准(去嵌入)、待测件(DUT)测试等,本发明的方法可以克服S参数测试过程中的各类影响,包括网络分析仪系统误差的影响、夹具影响等,以便精准测量电子元器件的S参数。
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