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公开(公告)号：CN103887330A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L21/28 , H01L29/41708 , H01L29/66272
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119761020A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411848061.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请提供一种元器件产品详细规范的正向设计方法，该方法包括：获取生产厂目标和/或用户需求；根据生产厂目标和/或用户需求，确定元器件目标定义，元器件目标定义包括关键指标要求、质量可靠性要求、环境适应性要求、用户特殊要求中至少一种；根据元器件目标定义，进行初步设计，初步设计包括确定元器件的功能性能指标、检验项目及试验应力和判据要求；基于初步设计，制定元器件的详细规范草案；基于元器件的详细规范草案，确定可靠性摸底数据；根据可靠性摸底数据和元器件目标定义，确定元器件产品详细规范。该方案可以从产品源头进行系统性规划和差异化设计元器件产品详细规范。
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公开(公告)号：CN119539722A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411589911.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06Q10/10 , G06Q50/04 , G06Q30/0283
Abstract: 本申请提供一种基于流程的电子元器件成本分析方法及装置，该方法包括：按照流程体系框架，对企业流程进行多层次划分，划分为若干流程层；通过对工程应用电子元器件从开发到终端用户使用的全流程的梳理，将电子元器件的全流程划分为开发设计阶段、采购阶段、生产制造阶段、销售阶段；对每个流程节点的成本输入对应的成本属性进行分析，按照成本属性对应的成本计算方法计算对应的成本输入；根据所有的成本输入，确定对应的流程节点的流程节点成本；根据流程节点成本，确定电子元器件的总成本。该方案可以对工程应用电子元器件成本进行全面系统的分析，并计算出全流程中电子元器件成本，可以为后续元器件成本管控提供技术指导。
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公开(公告)号：CN119557775A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411596957.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F18/243 , G06F18/27 , G06F18/214
Abstract: 本申请提供一种面向多元应用场景的元器件推荐模型的构建方法，该方法包括：获取数据集；数据集包括用户选用元器件时关注的信息数据；对数据集中信息数据进行标注，得到标注集；标注集包括70％的训练集和30％的测试集；使用训练集数据训练推荐模型，得到面向多元应用场景的元器件推荐模型。通过该方案构建的面向多元应用场景的元器件推荐模型，可以为型号设计师、质量管理人员、专家、物资管理人员提供全方位的元器件信息，并提供元器件推荐服务。
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公开(公告)号：CN116245413A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310194155.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06Q10/0639 , G06Q10/0635 , G06Q50/04
Abstract: 电子元器件生产厂供应能力的评价系统及方法，包括：评价因素确定模块，建立供应能力评价因素集U；评价等级划分模块对各评价因素给出评价等级并得到等级矢量V；评价因素权重确定模块，利用层次分析法确定各评价因素的权重得到模糊权矢量A；模糊关系矩阵确立模块，基于所述评价因素确定每个评价因素对全部评价因素的隶属程度，根据所述隶属程度得到模糊关系矩阵R；多指标综合评价模块，利用模糊合成算子将模糊权矢量A与模糊关系矩阵R合成得到各被评价对象的模糊综合评价结果矢量B，根据模糊综合评价结果矢量B和等级矢量V相乘确定综合评价成绩；基于综合评价成绩得到元器件的稳定供应风险项。本发明可评价生产厂稳定供应能力，找到风险项。
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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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