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公开(公告)号:CN103488042B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201210365270.3
申请日:2012-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70475 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31771
Abstract: 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据,使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案,将修改的多边形条纹化为子区,将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据,以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案,以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。
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公开(公告)号:CN107342262A
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201710176742.3
申请日:2017-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
CPC classification number: G03F7/70283 , G03F1/70 , G06F17/5081 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L31/1892 , H01L27/0207 , H01L21/823431
Abstract: 一种集成电路制造方法,包括:接收具有两个邻接区块的一目标集成电路设计布局,两个邻接区块中的每一个具有根据一图案间距间隔开的目标图案,两个邻接区块具有不同的图案间距;于目标图案之间的间隔中填充芯轴图案化候选区;以一第一颜色以及一第二颜色着色芯轴图案化候选区,包括:将芯轴图案化候选区中的第一个着上第一颜色;以及将任意两个相邻的芯轴图案化候选区着上不同颜色;移除以第二颜色着色的芯轴图案化候选区;以及输出用于掩模制造的计算机可读取格式的一芯轴图案,芯轴图案包括以第一颜色着色的芯轴图案化候选区。
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公开(公告)号:CN107342262B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201710176742.3
申请日:2017-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路制造方法,包括:接收具有两个邻接区块的一目标集成电路设计布局,两个邻接区块中的每一个具有根据一图案间距间隔开的目标图案,两个邻接区块具有不同的图案间距;于目标图案之间的间隔中填充芯轴图案化候选区;以一第一颜色以及一第二颜色着色芯轴图案化候选区,包括:将芯轴图案化候选区中的第一个着上第一颜色;以及将任意两个相邻的芯轴图案化候选区着上不同颜色;移除以第二颜色着色的芯轴图案化候选区;以及输出用于掩模制造的计算机可读取格式的一芯轴图案,芯轴图案包括以第一颜色着色的芯轴图案化候选区。
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公开(公告)号:CN109426069A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201711237662.0
申请日:2017-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明实施例提供产生心轴图案的方法。通过建构边框,启动多个前导心轴,以及将前导心轴延伸横跨边框,以产生心轴图案。当图案区域包含孔洞时,在延伸前导心轴之后,从前述孔洞中移除心轴的一部分。本发明实施例的方法可以提升在10nm节点及5nm节点制造中产生掩模的品质及效率。
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公开(公告)号:CN102983068B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201110404918.9
申请日:2011-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70425 , H01J37/3174
Abstract: 本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多个子文件,从而生成多个分离的子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。
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公开(公告)号:CN103488042A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201210365270.3
申请日:2012-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70475 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31771
Abstract: 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据,使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案,将修改的多边形条纹化为子区,将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据,以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案,以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。
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公开(公告)号:CN102983068A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201110404918.9
申请日:2011-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70425 , H01J37/3174
Abstract: 本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多个子文件,从而生成多个分离的子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。
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