公开(公告)号：CN115084028A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210523134.6

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士豪 ,  连崇德 ,  杨智铨 ,  许智育 ,  李明轩 ,  苏信文

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在装置类型区中提供从基板延伸的鳍片，且鳍片包括多个半导体通道层。在一些实施例中，上述方法包括在鳍片上形成栅极结构。之后，在一些范例中，上述方法包括移除多个半导体通道层的邻近栅极结构的源极/漏极区内的一部分以在源极/漏极区中形成沟槽。在一些情况中，上述方法更包括在形成沟槽之后，沿着沟槽的侧壁表面在源极/漏极区内沉积粘着层。在各种实施例中，且在沉积粘着层之后，上述方法更包括沿着沟槽的侧壁表面在粘着层上外延成长连续的第一源极/漏极层。

公开(公告)号：CN112582347A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011026436.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士豪 ,  徐梓翔 ,  连崇德 ,  杨思齐 ,  苏信文 ,  黄志翔

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括个别在基板的第一和第二区域中形成第一和第二半导体鳍片；在第一和第二半导体鳍片上方个别形成第一和第二冗余栅极堆叠，并且在第一和第二冗余栅极堆叠上方形成间隔物层；沿着在第一区域中的间隔物层形成具有厚度的第一图案层；沿着第一图案层形成第一源极/漏极沟槽并在其中外延成长第一外延特征；移除第一图案层以暴露间隔物层；沿着在第二区域中的间隔物层形成具有不同厚度的第二图案层；沿着第二图案层形成第二源极/漏极沟槽并在其中外延成长第二外延特征；以及移除第二图案层以暴露间隔物层。

公开(公告)号：CN107154398A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611138394.2

申请日：2016-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐国修 ,  连崇德

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)单元包括第一至第四晶体管，此第一至第四晶体管为第一类型晶体管，以及第五及第六晶体管，此第五及第六晶体管为第二类型晶体管。第一及第二晶体管的源极区是由第一源极扩散区形成，第五及第六晶体管的源极区是分别由第二源极扩散区及第三源极扩散区形成，并且第三及第四晶体管的源极区是由第四源极扩散区形成。SRAM单元进一步包括第一数据储存电极，此第一数据储存电极自第三及第六晶体管的第一栅极线线性延伸且电连接第一栅极线及第一源极扩散区及第二源极扩散区；以及第二数据储存电极，此第二数据储存电极自第二及第五晶体管的第二栅极线线性延伸且电连接第二栅极线及第三源极扩散区及第四源极扩散区。

公开(公告)号：CN219017659U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202222157616.2

申请日：2022-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士豪 ,  杨智铨 ,  苏信文 ,  林京毅 ,  李尚融 ,  连崇德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括半导体层堆叠物，置于基底的突出部的上方；隔离部件，置于基底的上方，其中基底的突出部的顶表面是以第一距离与隔离部件的底表面分离；金属栅极堆叠物，与半导体层堆叠物交织，其中金属栅极堆叠物的底部是置于基底的突出部的侧壁上，且其中金属栅极堆叠物的底部的厚度是定为第二距离，第二距离小于第一距离；以及外延源极/漏极部件，相邻于金属栅极堆叠物而设置。