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公开(公告)号：CN115360164A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211014036.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 一种半导体器件包括：电容器，包括第一金属板；电容器介电层，设置在第一金属板上方；以及第二金属板，设置在电容器介电层上方；以及电阻器，包括金属薄膜，其中，电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板由相同的金属材料形成，并且其中，金属薄膜的顶面与电容器的第二金属板的顶面大致共面。本发明实施例涉及包括MIM电容器和电阻器的器件。
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公开(公告)号：CN107546175A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610823365.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
Abstract: 一种分割晶圆的方法，包含定义围绕一组晶粒的切割道。此方法还包含蚀刻多个沟渠至此组晶粒中，其中每一个沟渠是位于此组晶粒中的相邻晶粒之间，且每一个沟渠的宽度是小于切割道的宽度。此方法还包含薄化晶圆，以暴露出这些沟渠的底表面。此方法还包含沿着切割道切割，以将此组晶粒与晶圆的又一部分分开。
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公开(公告)号：CN105895644A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510673792.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L31/1136
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、逻辑栅极结构、光敏栅极结构、硬掩模层、第一间隔件、第一源极、第一漏极、第二间隔件、第二源极和第二漏极。逻辑栅极结构和光敏栅极结构设置在衬底的表面上。硬掩模层覆盖逻辑栅极结构、光敏栅极结构和衬底的表面。第一间隔件位于与逻辑栅极结构的侧壁共形的硬掩模层上面。第一源极和第一漏极分别设置在位于逻辑栅极结构的相对两侧处的衬底中。第二间隔件位于与光敏栅极结构的侧壁共形的硬掩模层上面。第二源极和第二漏极分别设置在位于光敏栅极结构的相对两侧处的衬底中。本发明还涉及CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN115528050A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210248013.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种形成半导体装置的方法、光侦测器以及形成光侦测器的方法，形成一半导体装置的方法包括：在一半导体基板上形成一经图案化硬式遮罩层；使用包括一第一卤素物质的一第一蚀刻剂执行一第一蚀刻制程以在该半导体基板的一暴露部分中形成一凹部；使用包括一第二卤素物质的一第二蚀刻剂执行一第二蚀刻制程，使得该第二卤素物质在该半导体基板中形成围绕该凹部的一障壁层；以及使用一磊晶生长制程在该凹部中生长一侦测区。该障壁层用以减少该第一卤素物质至该侦测区中的扩散。
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公开(公告)号：CN111105969B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910768322.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法，即用于离子布植(ion implantation；IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备，及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度，校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799465B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710717449.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于提供具有掩埋的低K介电层的绝缘体上半导体(SOI)晶圆的方法和结构，包括在第一半导体衬底上形成器件层。在各个实施例中，器件层的至少部分与第一半导体衬底分离，其中分离在器件层的分离部分上形成切割表面。在一些实例中，在第二半导体衬底上形成图案化的低K介电层。此后，并且在一些实施例中，器件层的分离部分沿着切割表面接合至图案化的低K介电层。本发明实施例涉及半导体结构和相关方法。
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公开(公告)号：CN105895644B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510673792.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L31/1136
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、逻辑栅极结构、光敏栅极结构、硬掩模层、第一间隔件、第一源极、第一漏极、第二间隔件、第二源极和第二漏极。逻辑栅极结构和光敏栅极结构设置在衬底的表面上。硬掩模层覆盖逻辑栅极结构、光敏栅极结构和衬底的表面。第一间隔件位于与逻辑栅极结构的侧壁共形的硬掩模层上面。第一源极和第一漏极分别设置在位于逻辑栅极结构的相对两侧处的衬底中。第二间隔件位于与光敏栅极结构的侧壁共形的硬掩模层上面。第二源极和第二漏极分别设置在位于光敏栅极结构的相对两侧处的衬底中。本发明还涉及CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN107799465A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710717449.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于提供具有掩埋的低K介电层的绝缘体上半导体(SOI)晶圆的方法和结构，包括在第一半导体衬底上形成器件层。在各个实施例中，器件层的至少部分与第一半导体衬底分离，其中分离在器件层的分离部分上形成切割表面。在一些实例中，在第二半导体衬底上形成图案化的低K介电层。此后，并且在一些实施例中，器件层的分离部分沿着切割表面接合至图案化的低K介电层。本发明实施例涉及半导体结构和相关方法。
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公开(公告)号：CN109411488B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810223572.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底中的光电二极管；以及具有栅极部件的至少一个晶体管，其中，栅极部件包括第一部分和连接至第一部分的端部的第二部分，第一部分设置在衬底的主表面之上并且沿着衬底的主表面延伸，以及第二部分从衬底的主表面延伸到衬底中，其中，光电二极管和至少一个晶体管至少部分地形成像素。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111105969A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910768322.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法，即用于离子布植(ion implantation；IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备，及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度，校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。
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