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公开(公告)号：CN114883295A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110684877.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 一种装置结构以及形成装置结构的方法，形成装置结构的方法，其中腔体可在上覆于基板的介电材料层中形成。包括金属阻障层衬里、金属填充材料层、及金属覆盖材料的层堆叠可在腔体中且在介电材料层上方沉积。位于包括介电材料层的顶表面的水平面之上的层堆叠的部分可经移除。层堆叠的剩余材料部分的连续集合包括无凹坑表面的金属互连结构。
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公开(公告)号：CN114823400A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210028393.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体结构及其形成的方法，形成半导体结构的方法包括形成第一介电层中的第一导电触点，该第一导电触点耦接至第一装置；以及形成该第一介电层中的第二导电触点，该第二导电触点耦接至第二装置。第一沟槽经形成于该第一介电层中，该第一沟槽具有第一深度且暴露该第一导电触点的至少一部分。第二沟槽经形成于该第一介电层中，该第二沟槽具有不同于该第一深度的第二深度且暴露该第二导电触点的至少一部分。第一导电层经形成于该第一沟槽及该第二沟槽中。第二介电层在该第一沟槽及该第二沟槽中经成于该第一导电层上。
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公开(公告)号：CN114792673A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110686046.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种互连结构及其形成方法，互连结构可包括：互连面介电材料层，其位于基板上方；第一金属互连结构，其嵌入于互连面介电材料层中，且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分；及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫的区域中及第一金属填充材料部分的区域外，以减少电浆损伤。可在开口中形成第二金属互连结构，其接触第一金属障壁衬垫的顶表面。第一金属填充材料部分的顶表面的整体接触上覆介电材料层的底表面。
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公开(公告)号：CN114783941A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210028508.7
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/74
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体的制造方法中，设置罩幕在半导体层或半导体基材上。蚀刻半导体层或半导体基材在通过罩幕勾画的区域内，以形成空腔。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，进行离子布植，加衬空腔，以形成围阻结构。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，以基底半导体材料填入围阻结构。在以基底半导体材料填入围阻结构之后，移除罩幕。至少一半导体元件是制作在沉积于围阻结构内的基底半导体材料之内及/或之上。
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公开(公告)号：CN106711161A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610543221.2
申请日：2016-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明揭露一种红外线影像感测器组件及其制造方法。红外线影像感测器组件包含至少一III‑V族化合物层于半导体基板上，其中III‑V族化合物层自图案中曝露的部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像感测器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区，且通过主动像素区产生的电荷被传送至晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115527925A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210292754.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 揭示一种用于集成电路装置的互连结构及其形成方法，降低经由互连级介电层形成不需要的通孔的风险。一种形成互连结构的方法包括以下步骤：在第一金属互连特征上方形成第一及第二介电层，其中介电层包括由第一金属互连特征中的凸起引起的局部升高区域。平坦化制程移除第二介电层的局部升高区域，且在第二介电层的平坦上表面上方形成第三及第四介电层。穿过第三及第四介电层且进入第二介电层的蚀刻制程提供具有平坦底表面的沟槽。第二金属互连特征形成在沟槽内，其中第二金属互连特征包括覆盖第一介电层的局部升高区域及凸起的平坦底表面。
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公开(公告)号：CN110660909B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910569787.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了存储器装置，包括：第一导体，沿着第一轴延伸；第一选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第二选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第一可变电阻材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分；以及第二导体，与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸，其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分布置为沿着平行于第三轴的第一方向堆叠，其中，所述第三轴基本上垂直于所述第一轴和所述第二轴。本申请的实施例还提供了另外的存储器装置。
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公开(公告)号：CN110660909A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910569787.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了存储器装置，包括：第一导体，沿着第一轴延伸；第一选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第二选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第一可变电阻材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分；以及第二导体，与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸，其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分布置为沿着平行于第三轴的第一方向堆叠，其中，所述第三轴基本上垂直于所述第一轴和所述第二轴。本申请的实施例还提供了另外的存储器装置。
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公开(公告)号：CN106711161B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610543221.2
申请日：2016-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明揭露一种红外线影像感测器组件及其制造方法。红外线影像感测器组件包含至少一III‑V族化合物层于半导体基板上，其中III‑V族化合物层自图案中曝露的部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像感测器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区，且通过主动像素区产生的电荷被传送至晶体管。
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公开(公告)号：CN106601697A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610738929.3
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 一种半导体器件，包括形成在密封环上并且热连接至密封环的热导体。热导体与导电焊盘空间地分离。热导体暴露于衬底并且可以被称作密封环的热路径的延伸，从而来自密封环的热量可以更有效率的散失。本发明实施例涉及具有密封环的半导体器件及其形成方法。
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