公开(公告)号：CN113380635A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110060982.3

申请日：2021-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林勇志 ,  李静宜 ,  邱德洋 ,  陈思帆 ,  胡翰叡 ,  王景宏 ,  李汝谅 ,  喻中一

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明的各种实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。

公开(公告)号：CN113380635B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202110060982.3

申请日：2021-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林勇志 ,  李静宜 ,  邱德洋 ,  陈思帆 ,  胡翰叡 ,  王景宏 ,  李汝谅 ,  喻中一

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明的各种实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。