公开(公告)号：CN102194680A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010241532.6

申请日：2010-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  王海艇 ,  蔡瀚霆 ,  郑振辉 ,  吕伟元 ,  罗先庆 ,  陈冠仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明涉及集成电路的制造方法，尤其涉及一种具栅极结构的半导体装置的制造方法。一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺牲层；形成一层间介电层环绕含氮介电层；移除虚置栅极电极层；移除虚置氧化层；移除牺牲层以形成一开口于含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构增加的尺寸足够宽以容纳“后高介电常数”工艺的栅极介电层厚度，由此维持此元件的效能。

公开(公告)号：CN105023840B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201510307239.8

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  蔡瀚霆 ,  蔡明桓 ,  范玮寒 ,  宋学昌 ,  王海艇 ,  吕伟元 ,  罗先庆 ,  陈冠仲

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress‑inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。

公开(公告)号：CN102194680B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201010241532.6

申请日：2010-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  王海艇 ,  蔡瀚霆 ,  郑振辉 ,  吕伟元 ,  罗先庆 ,  陈冠仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明涉及集成电路的制造方法，尤其涉及一种具栅极结构的半导体装置的制造方法。一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺牲层；形成一层间介电层环绕含氮介电层；移除虚置栅极电极层；移除虚置氧化层；移除牺牲层以形成一开口于含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构增加的尺寸足够宽以容纳“后高介电常数”工艺的栅极介电层厚度，由此维持此元件的效能。

公开(公告)号：CN102222694A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010250734.7

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  蔡瀚霆 ,  蔡明桓 ,  范玮寒 ,  宋学昌 ,  王海艇 ,  吕伟元 ,  罗先庆 ,  陈冠仲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。

公开(公告)号：CN105023840A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510307239.8

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  蔡瀚霆 ,  蔡明桓 ,  范玮寒 ,  宋学昌 ,  王海艇 ,  吕伟元 ,  罗先庆 ,  陈冠仲

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。