公开(公告)号：CN115440803A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210797685.1

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张翔笔 ,  赵皇麟 ,  程仲良 ,  林斌彦 ,  林君纯 ,  李慈莉 ,  梁育嘉 ,  侯敦晖 ,  刘文中 ,  吴俊毅

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。

公开(公告)号：CN113053882B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202110151249.2

申请日：2021-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许智育 ,  陈建豪 ,  陈嘉伟 ,  廖善美 ,  陈蕙祺 ,  梁育嘉 ,  林士豪 ,  林揆伦 ,  游国丰 ,  杨丰诚 ,  陈燕铭

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H10B10/00

Abstract: 一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113053882A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110151249.2

申请日：2021-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许智育 ,  陈建豪 ,  陈嘉伟 ,  廖善美 ,  陈蕙祺 ,  梁育嘉 ,  林士豪 ,  林揆伦 ,  游国丰 ,  杨丰诚 ,  陈燕铭

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/11

Abstract: 一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。