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公开(公告)号：CN110649156B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910560580.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
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公开(公告)号：CN115440803A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210797685.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。
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公开(公告)号：CN113299647A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110556620.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110838315A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910759607.0
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
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公开(公告)号：CN113299647B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110556620.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
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公开(公告)号：CN110838315B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910759607.0
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
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公开(公告)号：CN110940832A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910909210.5
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露的一实施例一般是关于一种测量基材特性的方法及其系统及测量基材的表面的方法。测量基材特性的方法包含以扫描式探针显微镜扫描基材，基材上具有鳍，扫描获取的第一图像显示鳍个别的鳍顶区域，在扫描的期间，通过振荡的扫描探针，扫描式探针显微镜与鳍的侧壁的个别的部分相互作用。选择第二图像，以获取鳍的线边缘轮廓，其中第二图像是由鳍顶区域的下方的预定深度所获取。通过处理器架构系统，使用功率频谱密度(power spectral density，PSD)方法分析鳍的线边缘轮廓，以获取鳍的线边缘轮廓的空间频率数据。通过处理器架构系统，基于空间频率数据，计算鳍的线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN110649156A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560580.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
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