公开(公告)号：CN115440803A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210797685.1

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张翔笔 ,  赵皇麟 ,  程仲良 ,  林斌彦 ,  林君纯 ,  李慈莉 ,  梁育嘉 ,  侯敦晖 ,  刘文中 ,  吴俊毅

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。

公开(公告)号：CN110940832A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910909210.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 扈蔚山 ,  桂东 ,  李正中 ,  李哲良 ,  侯敦晖 ,  刘文中

IPC: G01Q60/24 ,  G01Q60/10 ,  G01Q60/00

Abstract: 本揭露的一实施例一般是关于一种测量基材特性的方法及其系统及测量基材的表面的方法。测量基材特性的方法包含以扫描式探针显微镜扫描基材，基材上具有鳍，扫描获取的第一图像显示鳍个别的鳍顶区域，在扫描的期间，通过振荡的扫描探针，扫描式探针显微镜与鳍的侧壁的个别的部分相互作用。选择第二图像，以获取鳍的线边缘轮廓，其中第二图像是由鳍顶区域的下方的预定深度所获取。通过处理器架构系统，使用功率频谱密度(power spectral density，PSD)方法分析鳍的线边缘轮廓，以获取鳍的线边缘轮廓的空间频率数据。通过处理器架构系统，基于空间频率数据，计算鳍的线边缘粗糙度。