公开(公告)号：CN1770432A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510102676.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚志翔 ,  黄泰钧 ,  纪冠守 ,  郑志成 ,  梁明硕 ,  万文恺 ,  夏劲秋 ,  梁孟松

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，所述密封环结构，适用于保护一集成电路晶片的一核心电路区，包括：一金属化层，其具有一桥接次层以及一插栓次层；一桥接物，位于该桥接次层内介于该集成电路晶片的一周边边缘与该核心电路区间的一既定位置；以及一插栓，位于该插栓次层内且大体对准于该桥接物，其中该插栓具有大体相同于该桥接物的宽度的一宽度。本发明所述的密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，可限制与阻止来自集成电路晶片的边缘处的裂痕的推进。

公开(公告)号：CN1438696A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02105012.0

申请日：2002-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李资良 ,  陈世昌 ,  梁明硕 ,  余振华

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明涉及一种应力释放的图案组合结构，包含一密封式环圈结构和一应力释放的图案结构，设置于一半导体基板上；密封式环圈结构包括：一外侧密封式环圈，一内侧密封式环圈，设置于该外侧密封式环圈内部，应力释放的网状图案结构包括：三角形网状图案结构，设置于该外侧密封式环圈四个顶角外围，多边形网状图案结构，设置于该内侧密封式环圈四个顶角内围，网状图案结构为金属条组件区。通过本发明，可有效减少内应力，并有效隔绝水汽和杂质，保护内部芯片。

公开(公告)号：CN100401501C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200510102676.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚志翔 ,  黄泰钧 ,  纪冠守 ,  郑志成 ,  梁明硕 ,  万文恺 ,  夏劲秋 ,  梁孟松

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，所述密封环结构，适用于保护一集成电路晶片的一核心电路区，包括：一金属化层，其具有一桥接次层以及一插栓次层；一桥接物，位于该桥接次层内介于该集成电路晶片的一周边边缘与该核心电路区间的一既定位置；以及一插栓，位于该插栓次层内且大体对准于该桥接物，其中该插栓具有大体相同于该桥接物的宽度的一宽度。本发明所述的密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，可限制与阻止来自集成电路晶片的边缘处的裂痕的推进。

公开(公告)号：CN1212661C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02105012.0

申请日：2002-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李资良 ,  陈世昌 ,  梁明硕 ,  余振华

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/26

Abstract: 本发明涉及一种应力释放的图案组合结构，包含一密封式环圈结构和一应力释放的图案结构，设置于一半导体基板上；密封式环圈结构包括：一外侧密封式环圈，一内侧密封式环圈，设置于该外侧密封式环圈内部，该外侧密封式环圈为第一堆栈式结构层且包括连续性的线形介层洞插塞，且其中该内侧密封式环圈为相对应于该第一堆栈式结构层的第二堆栈式结构层且包括连续性的线形介层洞插塞和不连续性的方形介层洞插塞；应力释放的网状图案结构包括：三角形网状图案结构，设置于该外侧密封式环圈四个顶角外围，多边形网状图案结构，设置于该内侧密封式环圈四个顶角内围，网状图案结构为金属条组件区。通过本发明，可有效减少内应力，并有效隔绝水汽和杂质，保护内部芯片。