公开(公告)号：CN102479789A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110329741.0

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昀靓 ,  范玮寒 ,  林育贤 ,  黄益民

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件的半导体器件。第一间隔元件设置在衬底上并且邻接第一栅极堆叠件。在实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。第二间隔元件邻近第一间隔元件。在实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。提供的凸起源极和第一凸起漏极横向地接触第二间隔元件的侧壁。在实施例中，接触件与第二间隔元件直接接合。

公开(公告)号：CN102479789B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201110329741.0

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昀靓 ,  范玮寒 ,  林育贤 ,  黄益民

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件的半导体器件。第一间隔元件设置在衬底上并且邻接第一栅极堆叠件。在实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。第二间隔元件邻近第一间隔元件。在实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。提供的凸起源极和第一凸起漏极横向地接触第二间隔元件的侧壁。在实施例中，接触件与第二间隔元件直接接合。

公开(公告)号：CN102623317B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210016594.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘德人 ,  林育贤 ,  沈香谷 ,  范玮寒 ,  林昀靓 ,  黄益民 ,  王梓仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。

公开(公告)号：CN102623317A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210016594.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘德人 ,  林育贤 ,  沈香谷 ,  范玮寒 ,  林昀靓 ,  黄益民 ,  王梓仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。