公开(公告)号：CN102623317B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210016594.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘德人 ,  林育贤 ,  沈香谷 ,  范玮寒 ,  林昀靓 ,  黄益民 ,  王梓仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。

公开(公告)号：CN102623317A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210016594.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘德人 ,  林育贤 ,  沈香谷 ,  范玮寒 ,  林昀靓 ,  黄益民 ,  王梓仲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。