公开(公告)号：CN1897247B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610067317.2

申请日：2006-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  陈学忠 ,  郑心圃 ,  林建宏 ,  林志涛 ,  许仕勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一半导体元件以及该半导体元件的制造方法，特别是有关于在金属层的稀疏布局区域插入虚置图案的方法以及装置。虚置图案被用来解决因半导体的有效图案密度不平均而导致的研磨后薄膜厚度不平坦问题。本发明另说明一演算法，该演算法根据金属层有效图案决定虚置图案的尺寸和位置，其中步骤包括：首先以小型虚置填充环绕金属内连线，然后以大型虚置填充填补剩下的空白区域。本发明所述一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，可在使用化学机械研磨抛光一层间氧化膜时，防止不平坦表面形成。

公开(公告)号：CN1897247A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610067317.2

申请日：2006-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  陈学忠 ,  郑心圃 ,  林建宏 ,  林志涛 ,  许仕勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，特别是有关于在金属层的稀疏布局区域插入虚置图案的方法以及装置。虚置图案被用来解决因半导体的有效图案密度不平均而导致的研磨后薄膜厚度不平坦问题。本发明另说明一演算法，该演算法根据金属层有效图案决定虚置图案的尺寸和位置，其中步骤包括：首先以小型虚置填充环绕金属内连线，然后以大型虚置填充填补剩下的空白区域。本发明所述一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，可在使用化学机械研磨抛光一层间氧化膜时，防止不平坦表面形成。