公开(公告)号：CN222366547U

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202420548873.5

申请日：2024-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨鈤笙 ,  殷立炜 ,  林育贤 ,  潘姿文 ,  赵士傑 ,  梁家铭 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H10D64/27 ,  H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体结构，包含主动区域以及导体栅极。导体栅极覆盖于主动区域，其中导体栅极包含塞以及衬垫。塞具有上表面，上表面具有W型轮廓并定义了最低点。衬垫覆盖于上表面，其中衬垫沿着具有栅极界面区域的栅极界面接触塞，其中塞在上表面的最低点的水平剖面具有塞剖面区域，且其中栅极界面区域大于塞剖面区域。

公开(公告)号：CN220172138U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321316911.6

申请日：2023-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕志伦 ,  杨鈤笙 ,  潘承纬 ,  廖志腾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括一栅极堆叠，具有一金属栅极层。半导体装置也包括侧壁间隔件，设置于栅极堆叠的两相对侧壁上。半导体装置还包括一U型硬式掩模层，设置于侧壁间隔件上及栅极堆叠上。U型硬式掩模层的顶部的第一宽度大于U型硬式掩模层的底部的一第二宽度。

公开(公告)号：CN221947164U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202420432100.0

申请日：2024-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵士傑 ,  陈嘉仁 ,  林益安 ,  林育贤 ,  殷立炜 ,  潘姿文 ,  杨鈤笙

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种半导体装置，包含形成短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠；在短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠上方形成第一金属盖帽层，其中较长通道装置的第一金属盖帽层具有金属盖帽凹槽；在金属盖帽凹槽中形成第一介电盖帽层；移除短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠及第一金属盖帽层的一部分；通过移除以在短通道装置中的间隔物之间形成第一通道凹槽且在较长通道装置中的间隔物与第一介电盖帽层之间形成第二通道凹槽；其中第一通道凹槽及第二通道凹槽中的每一者具有一宽度尺寸，且第一通道凹槽及第二通道凹槽的宽度尺寸之间的差值小于3nm。

公开(公告)号：CN221008956U

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202322459874.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘骏逸 ,  林育贤 ,  陈嘉仁 ,  杨鈤笙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，包括半导体鳍片、多个栅极间隔物、金属栅极结构和栅极电极；多个栅极间隔物在所述半导体鳍片上方；金属栅极结构在所述半导体鳍片上方且夹设于所述栅极间隔物之间；栅极电极设置在所述金属栅极结构之上且与所述金属栅极结构电性接触；其中所述栅极电极从所述金属栅极结构的顶表面以及所述栅极间隔物的顶表面延伸远离。

公开(公告)号：CN220963349U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322427006.4

申请日：2023-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  潘姿文 ,  林育贤 ,  汪于仕 ,  杨鈤笙 ,  赵士傑 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体装置包括:一栅极堆叠，位于一半导体基板上方；一金属帽，位于该栅极堆叠上方；及一介电帽，位于该金属帽上方，其中该金属帽具有沿着该介电帽的一侧壁延伸的一侧壁部分。

公开(公告)号：CN220895510U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322483844.3

申请日：2023-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  潘姿文 ,  林育贤 ,  杨鈤笙 ,  赵士傑 ,  梁家铭 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构包含一主动区、一栅极材料层及一衬里。栅极材料层位于主动区且具有一凹入表面，其中凹入表面包括一第一边缘处的一第一角状物、一第二边缘处的一第二角状物及位于第一角状物与第二角状物之间的一谷。衬里覆盖该栅极材料层的该第一角状物、该第二角状物及该谷上方。

公开(公告)号：CN217719609U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221652114.0

申请日：2022-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立炜 ,  吴昀铮 ,  潘姿文 ,  杨鈤笙 ,  林育贤 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/772

Abstract: 揭示改进的栅极结构及包括改进的栅极结构的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括位于半导体基板上方的栅极结构，栅极结构包括高k值介电层；位于高k值介电层上方的栅极；位于高k值介电层及栅极上方且与高k值介电层及栅极接触的导电帽，导电帽的顶表面为凸的；以及位于栅极结构的多个相对侧上的第一栅极间隙物，高k值介电层及导电帽在这些第一栅极间隙物的多个相对侧壁之间延伸。