-
公开(公告)号：CN101834154B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200910164459.4
申请日：2009-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/673 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67265 , Y10S414/135 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/138 , Y10S414/139 , Y10S414/14 , Y10S414/141
Abstract: 一种校正系统、校正方法与晶片盒，用以校正包括晶片输送叶片的晶片输送系统的晶片对位，校正方法包括提供具有多个水平方向的晶片插槽的晶片盒，其中晶片插槽的每一个包括多个对侧沟槽，并且每一对侧沟槽包括上表面、侧表面，以及下表面；将导电材料安置于晶片插槽的第一晶片插槽的对侧沟槽的每一上述上表面上，导电材料用以与检测器进行电性通信，而检测器用以检测晶片何时接触到导电材料；将放置于晶片输送叶片之上的晶片输送至第一晶片插槽中；以及判断在第一晶片插槽内的晶片是否对位不准。本发明的系统及方法可用于X、Y和Z方向对位的校正。
-
公开(公告)号：CN1332423C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410097842.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F9/7026 , G01N2021/8416 , G03F7/70533
Abstract: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统，其使用一水平感测装置，通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形，来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移，聚焦点偏移对应于一高度，此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着，转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点，以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后，在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片，此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点，仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。
-
公开(公告)号：CN101834154A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910164459.4
申请日：2009-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/673 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67265 , Y10S414/135 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/138 , Y10S414/139 , Y10S414/14 , Y10S414/141
Abstract: 一种校正系统、校正方法与晶片盒，用以校正包括晶片输送叶片的晶片输送系统的晶片对位，校正方法包括提供具有多个水平方向的晶片插槽的晶片盒，其中晶片插槽的每一个包括多个对侧沟槽，并且每一对侧沟槽包括上表面、侧表面，以及下表面；将导电材料安置于晶片插槽的第一晶片插槽的对侧沟槽的每一上述上表面上，导电材料用以与检测器进行电性通信，而检测器用以检测晶片何时接触到导电材料；将放置于晶片输送叶片之上的晶片输送至第一晶片插槽中；以及判断在第一晶片插槽内的晶片是否对位不准。本发明的系统及方法可用于X、Y和Z方向对位的校正。
-
公开(公告)号：CN1661770A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410097842.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F9/7026 , G01N2021/8416 , G03F7/70533
Abstract: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统，其使用一水平感测装置，通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形，来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移，聚焦点偏移对应于一高度，此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着，转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点，以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后，在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片，此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点，仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.031 seconds)
