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公开(公告)号：CN105336829B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN105185744B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510335626.2
申请日：2015-06-17
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L33/00 , B23K26/36
摘要： 本发明提供氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，通过在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，增加激光能量，调整激光频率，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，有效地排出激光隐形切割后留下的烧痕、碎屑等副产物，减少副产物的光吸收，增加发光二极管的侧壁出光，提升出光效率；此外，由于衬底与孔洞折射率不同，同时激光划痕类似将LED芯片侧面粗化，增大了光取出的角度，从而达到增加轴向光的目的，如此提高了LED芯片的整体发光效率。
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公开(公告)号：CN103996773B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN103996773A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/24
摘要： 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN101976715B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010298429.5
申请日：2010-10-05
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；在窗口层上形成P电极；在P电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；去除临时基板并将晶片倒置；采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；在光刻胶与晶片表面形成N电极；在N电极上形成永久基板；去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完整的单颗倒梯形LED芯粒。由于倾斜的侧面使得每一个出光面的可出光角度范围扩大，出光面积增加，可大大提升LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN101958383A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010298440.1
申请日：2010-10-07
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开的一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，在一暂时基板上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；外延发光层上生长一介质层，定义出切割道图形并蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；在外延发光层上蒸镀一反射镜；永久基板背面和上表面分别制作第一欧姆接触电极和蒸镀接合层；将反射镜与接合层键合，去除暂时基板、缓冲层和截止层；在第二导电型欧姆接触层上制备第二欧姆接触电极；切割形成芯片。本发明能解决切割带来的漏电问题，并且不必蚀刻切割道上的外延层，简化制作工艺，提高工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN101872821A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010190417.0
申请日：2010-05-24
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 本发明公开的一种具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法，包括一衬底，在衬底上表面依次叠层布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层和窗口层，构成一层叠结构的晶片，晶片的外形为圆台状，在晶片的顶面连接一P电极，在晶片的底面连接一N电极；本发明将发光二极管制作成圆台状，增大全反射发生的临界角，减少由于光的全反射而带来的光损失，大大地提高侧面出光效率。此外，圆台状发光二极管的晶片，由于其截面呈圆形，所以在侧面出光时将不会发生全反射现象，即除了介质本身的吸收及两界面处不可避免的光反射而损失的光以外，不会发生全反射现象，大幅度提高LED外量子效率。
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公开(公告)号：CN105679888A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610081608.0
申请日：2016-02-05
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/402
CPC分类号： H01L33/007 , B23K26/38 , B23K26/402
摘要： 本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN105575951A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510987688.1
申请日：2015-12-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/00 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/648 , H01L27/156 , H01L33/005
摘要： 一种高压发光二极管及其制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成发光外延叠层；图形化所述发光外延叠层并制作沟道直至裸露出衬底表面，从而将发光外延叠层分隔为多个发光二极管单元，且所述发光二极管单元至少组成两个行列；制作电极互联线，横跨于所述沟道上，相邻的两个发光二极管单元通过所述电极互联线连接；制作电极焊盘，形成于所述高压发光二极管的最外围的发光二极管单元上；其特征在于：在所述任意相邻的两个发光二极管电势差≥单个发光二极管的正向电压3倍的沟道处设置绝缘保护层开口，用于避免绝缘保护层被介电击穿时产生的热量诱使发光外延叠层被击穿。
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公开(公告)号：CN105226177A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510655970.X
申请日：2015-10-13
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13006 , H01L2224/13011 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2225/06513 , H01L2924/12041 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
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