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公开(公告)号：CN108417678B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810219811.9
申请日：2018-03-16
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，发光波长设为λ；其特征在于：所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。本发明通过在外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果，能大大提升发光层发出的光线经外延层或衬底侧面的波导结构散射/反射后，再向外出射的几率，从而增强光萃取效率，提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN112786753A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911093286.1
申请日：2019-11-11
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED芯片及制作方法，本发明公开了一种LED芯片，包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。本发明还公开一种LED芯片出光面粗化的方法，其通过激光烧灼在衬底内形成变质层，变质层上的激光烧灼痕迹即作为粗化层的粗化结构，解决了现有的湿法或干法蚀刻来实现出光面粗化的方式效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN112786741A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911093315.4
申请日：2019-11-11
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED芯片的制作方法及其产品，该制作方法将衬底先进行一次减薄后再进行隐形切割，然后再将衬底减薄至目标厚度，隐形切割形成的激光划痕可以释放衬底和外延结构的应力，改善了LED晶圆在第二次减薄时的曲翘，以解决现有的LED晶圆的衬底研磨至较薄厚度时，晶圆边缘曲翘严重，造成制程良率低问题。
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公开(公告)号：CN111201595A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201980004676.9
申请日：2019-04-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
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公开(公告)号：CN101937958A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010259994.0
申请日：2010-08-23
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 本发明公开的一种高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法，提供一蓝宝石衬底；在衬底上依次生长N-GaN层、发光层和P-GaN层；通过光罩刻蚀作业，将P-GaN层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；在P-GaN层和暴露的N-GaN层上镀透明导电层，用作欧姆接触；通过湿法蚀刻方法，去除部分透明导电层，使P-GaN层和暴露的N-GaN层上的透明导电层分离；通过光罩刻蚀作业，分别在分离后的透明导电层上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作的LED芯片，避免了传统芯片中大面积N电极金属的遮光和吸收光现象，从而提高芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110088922A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN105226177B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510655970.X
申请日：2015-10-13
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13006 , H01L2224/13011 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2225/06513 , H01L2924/12041 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
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公开(公告)号：CN105234560B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510635391.9
申请日：2015-09-30
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/402 , H01L21/78
摘要： 本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤：提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
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公开(公告)号：CN105336829A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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