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公开(公告)号:CN115493730A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202111007352.6
申请日:2021-08-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种高温陶瓷薄膜应变计及其制备方法,包括以下步骤:S1,清洗高温绝缘基底;S2,以聚硅氮烷为前驱体陶瓷溶液,在高温绝缘基底上直写敏感层和电极的图案,所述电极的图案位于所述敏感层的图案的末端;然后加热交联和高温裂解,制备敏感层和电极;S3,用银浆焊点将铂引线固连在电极上。该高温陶瓷薄膜应变计的应变系数大。
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公开(公告)号:CN104190916B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410426701.1
申请日:2014-08-27
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E60/36
Abstract: 本发明公开一种抗氧化的水解制氢复合粉体,该复合粉体由偏晶型合金M-N形成半包裹或全包裹的核/壳型复合结构,核为富M相,壳为富N相,并且壳层中存在大量微裂纹以及富M相的小颗粒,整个复合粉体成分按质量百分比为:M为0.5~99.9%,N为0.1~99.5%。本发明还公开一种抗氧化的水解制氢复合粉体的制备方法。本发明工艺简单,无需添加氢化物、盐类等其他物质,成本低。本发明复合粉体能够与水进行快速制氢,不受水温水质限制,即时产氢供氢,解决了氢气的存储和运输问题,降低了成本和风险;本发明复合粉性质稳定,抗氧化能力强,保存方法简单,携带方便。在移动氢源、氢动力汽车等民用领域以及在潜艇、船舰、鱼雷等军用领域都具有极大的应用价值和市场前景。
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公开(公告)号:CN118137289A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410299386.4
申请日:2024-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括:曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR;所述激光器还包括:设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板;所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器、并作为所述氮化镓基垂直腔面发射激光器中一侧的电极,且该平面基板的热导率≥100Wm/K,电导率≥7×106S/m,厚度范围为10‑500μm。本发明引入平面基板后,不仅可避免传统器件因为较薄的自支撑外延层引起的易碎难题,而且可进一步改善器件散热和电流拥堵。具有热导率的平面基板,有助于有源区层中产生的热量通过n型氮化物层传导至平面基板,改善器件的散热效果。同时,由于平面基板为高电导率的平面,可进行垂直电流注入,改善器件电流拥堵效应。
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公开(公告)号:CN114910185A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202210289485.5
申请日:2022-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明提供了一种激光热解结合维森堡直写的氧化铟锡高温薄膜传感器,包括:氧化铝绝缘基底、氧化铟锡复合敏感层、铂浆引线、高温抗氧化保护层、银浆焊点和铂丝,其中所述铂浆引线通过丝网印刷于所述氧化铝绝缘基底上;所述氧化铟锡复合敏感层直写于氧化铝绝缘基底上铂浆引线间;所述高温抗氧化保护层通过丝网印刷覆于所述氧化铟锡复合敏感层上;银浆焊点焊接于铂浆引线上与铂丝固连,氧化铟锡复合敏感层是通过氧化铟锡粉末与前驱体陶瓷溶液进行混合,将氧化铟锡薄膜稳定预制于氧化铝绝缘基底上,能够实现薄膜高温稳定性的提高。
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公开(公告)号:CN104190916A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201410426701.1
申请日:2014-08-27
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E60/36
Abstract: 本发明公开一种抗氧化的水解制氢复合粉体,该复合粉体由偏晶型合金M-N形成半包裹或全包裹的核/壳型复合结构,核为富M相,壳为富N相,并且壳层中存在大量微裂纹以及富M相的小颗粒,整个复合粉体成分按质量百分比为:M为0.5~99.9%,N为0.1~99.5%。本发明还公开一种抗氧化的水解制氢复合粉体的制备方法。本发明工艺简单,无需添加氢化物、盐类等其他物质,成本低。本发明复合粉体能够与水进行快速制氢,不受水温水质限制,即时产氢供氢,解决了氢气的存储和运输问题,降低了成本和风险;本发明复合粉性质稳定,抗氧化能力强,保存方法简单,携带方便。在移动氢源、氢动力汽车等民用领域以及在潜艇、船舰、鱼雷等军用领域都具有极大的应用价值和市场前景。
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公开(公告)号:CN119545983A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202410781867.9
申请日:2024-06-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/832 , H10H20/858 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品。其中,所述方法依序包括如下步骤:在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层,在氮化镓基外延层一表面制备若干曲面结构;在该曲面结构沿一第一方向依序沉积电流扩展层、曲面反射镜、过渡层,并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底;将区域金属基底一侧置于一临时衬底,去除原始衬底并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面;在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜,并制备电极;去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。本发明能够改善获得独立器件时的金属卷边和侧壁损伤、优化实验工艺,提升器件的光输出功率等性能。
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