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公开(公告)号：CN114939520B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210535783.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了聚合物先驱体陶瓷‑磷光粉复合测温涂层及其制备方法，基底上覆有厚度为5～40μm的高温陶瓷过渡层，陶瓷过渡层上覆有厚度为5～100μm的磷光薄膜，陶瓷过渡层由全氢聚硅氮烷(PHPS)液体掺杂绝缘粉体后高温热解生成，磷光薄膜由聚硅氮烷(PSN2)液体和稀土磷光粉体混合均匀后经高温热解反应得到。本发明的聚合物先驱体陶瓷‑磷光粉复合测温涂层可广泛用于高温环境中温度测量。
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公开(公告)号：CN110957294A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911263633.0
申请日：2019-12-11
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/495 , H01B1/20 , H01B13/00 , H01R4/04 , H01R43/00
Abstract: 本发明涉及一种薄膜传感器的连接结构及其加工方法，所述薄膜传感器的连接结构包括基体、薄膜传感器、耐高温薄膜引线、铂丝和焊点，所述薄膜传感器安装在所述基体第一表面，所述耐高温薄膜引线一端连接所述薄膜传感器，另一端向外延伸；所述焊点带沟槽的一侧通过粘结剂连接所述基体的第二表面，所述铂丝嵌设在所述焊点的沟槽内，所述铂丝的一端通过所述粘结剂与所述耐高温薄膜引线的延伸端相连，所述铂丝的另一端向外延伸。本发明解决了薄膜传感器的电信号引出问题，可在不改变表面形貌、不破坏表面结构的基础上实现高温恶劣环境下薄膜器件与外界的引线互连和信号传输。
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公开(公告)号：CN110954234A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911309009.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/16 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及一种聚合物前驱体陶瓷薄膜RTD及其制备方法，聚合物前驱体陶瓷薄膜RTD包括基底、位于基底上的陶瓷薄膜敏感元件、由陶瓷薄膜敏感元件引出的第一引线焊点、第二引线焊点，以及分别第一引线焊点、第二引线焊点连接的第一引线和第二引线，所述陶瓷薄膜敏感元件由掺有纳米铝粉、纳米二硼化钛、纳米二硼化锆的至少一种前驱体陶瓷薄膜制成，所述第一引线、第二引线与第一引线焊点和第二引线焊点的连接都是通过银浆烧结来实现的，以解决现有的陶瓷薄膜RTD工作温度有限以及制备复杂的问题。
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公开(公告)号：CN115493730A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202111007352.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种高温陶瓷薄膜应变计及其制备方法，包括以下步骤：S1，清洗高温绝缘基底；S2，以聚硅氮烷为前驱体陶瓷溶液，在高温绝缘基底上直写敏感层和电极的图案，所述电极的图案位于所述敏感层的图案的末端；然后加热交联和高温裂解，制备敏感层和电极；S3，用银浆焊点将铂引线固连在电极上。该高温陶瓷薄膜应变计的应变系数大。
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公开(公告)号：CN114939520A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210535783.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了聚合物先驱体陶瓷‑磷光粉复合测温涂层及其制备方法，基底上覆有厚度为5～40μm的高温陶瓷过渡层，陶瓷过渡层上覆有厚度为5～100μm的磷光薄膜，陶瓷过渡层由全氢聚硅氮烷(PHPS)液体掺杂绝缘粉体后高温热解生成，磷光薄膜由聚硅氮烷(PSN2)液体和稀土磷光粉体混合均匀后经高温热解反应得到。本发明的聚合物先驱体陶瓷‑磷光粉复合测温涂层可广泛用于高温环境中温度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114322741A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111524535.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种激光热解复合增材制造一体化前驱体陶瓷薄膜传感器及其制备方法，以金属构件或绝缘材料作为基底，针对金属构件表面通过逐层激光热解增材技术形成高致密性、高绝缘性以及抗高温的PDC掺杂的复合绝缘膜层，并在复合绝缘膜层上通过维森堡直写PDC掺杂填料的敏感栅，经激光热解增强PDC石墨化的方法获得优良导电性能的应变敏感层，从而开创以PDC材料为基础的高绝缘膜层和优良导电性能的敏感栅与金属基底的激光原位增材一体化制造，实现了PDC复合材料从“液‑固‑功能”转变的激光工艺流程，并成功将其应用于金属材料应变传感。
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公开(公告)号：CN110957294B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201911263633.0
申请日：2019-12-11
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/495 , H01B1/20 , H01B13/00 , H01R4/04 , H01R43/00
Abstract: 本发明涉及一种薄膜传感器的连接结构及其加工方法，所述薄膜传感器的连接结构包括基体、薄膜传感器、耐高温薄膜引线、铂丝和焊点，所述薄膜传感器安装在所述基体第一表面，所述耐高温薄膜引线一端连接所述薄膜传感器，另一端向外延伸；所述焊点带沟槽的一侧通过粘结剂连接所述基体的第二表面，所述铂丝嵌设在所述焊点的沟槽内，所述铂丝的一端通过所述粘结剂与所述耐高温薄膜引线的延伸端相连，所述铂丝的另一端向外延伸。本发明解决了薄膜传感器的电信号引出问题，可在不改变表面形貌、不破坏表面结构的基础上实现高温恶劣环境下薄膜器件与外界的引线互连和信号传输。
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公开(公告)号：CN111263503A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911264537.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及流场检测技术领域，特别地涉及一种等离子体气动探针及其测量系统。本发明公开了一种等离子体气动探针及其测量系统，其中，等离子体气动探针包括绝缘阻挡介质、圆柱状的绝缘件、作为阳极的第一电极和第二电极以及作为阴极的第三电极，所述第三电极为圆柱状结构，嵌设在绝缘件的第一端部内，所述第一电极为片状结构，裸露设置在绝缘件的第一端面，所述绝缘阻挡介质位于第一电极和第三电极的第一端面之间，所述第三电极的第一端面的面积大于第一电极的面积，所述第二电极的数量为多个，并周向等间距分布在绝缘件的外周面上，在绝缘件的径向方向上，第二电极与第三电极至少有部分不重叠。
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公开(公告)号：CN110962220B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911308996.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 厦门大学
IPC: B28B11/00 , C04B35/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种聚合物前驱体陶瓷薄膜的直写装置和制作方法，直写装置包括了X‑Y轴移动平台和位于X‑Y轴移动平台上方的直写器，所述直写器包括了直流电机、储料管和金属杆，所述储料管的底部具有与该储料管内部空间连通的金属微通道，并且该金属微通道在竖直方向上垂直设置，所述金属杆设置于储料管内，该金属杆的上端部与直流电机驱动连接，其末端为针状的针尖部，且延伸至金属微通道外，并且该金属杆与金属微通道对中设置，位于储料管内的聚合物前驱体液会沿旋转的金属杆沿杆爬升至末端的针尖部，从而实现聚合物前驱体液的输送，以提供一种简单易用的聚合物前驱体液直写装置。
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公开(公告)号：CN111263503B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911264537.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及流场检测技术领域，特别地涉及一种等离子体气动探针及其测量系统。本发明公开了一种等离子体气动探针及其测量系统，其中，等离子体气动探针包括绝缘阻挡介质、圆柱状的绝缘件、作为阳极的第一电极和第二电极以及作为阴极的第三电极，所述第三电极为圆柱状结构，嵌设在绝缘件的第一端部内，所述第一电极为片状结构，裸露设置在绝缘件的第一端面，所述绝缘阻挡介质位于第一电极和第三电极的第一端面之间，所述第三电极的第一端面的面积大于第一电极的面积，所述第二电极的数量为多个，并周向等间距分布在绝缘件的外周面上，在绝缘件的径向方向上，第二电极与第三电极至少有部分不重叠。
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