公开(公告)号：CN115493730A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202111007352.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孙道恒 ,  潘晓川 ,  海振银 ,  林帆 ,  杨涛 ,  武超 ,  崔在甫 ,  陈沁楠 ,  何功汉

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/22

Abstract: 本发明提供了一种高温陶瓷薄膜应变计及其制备方法，包括以下步骤：S1，清洗高温绝缘基底；S2，以聚硅氮烷为前驱体陶瓷溶液，在高温绝缘基底上直写敏感层和电极的图案，所述电极的图案位于所述敏感层的图案的末端；然后加热交联和高温裂解，制备敏感层和电极；S3，用银浆焊点将铂引线固连在电极上。该高温陶瓷薄膜应变计的应变系数大。

公开(公告)号：CN116659368A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310474703.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 厦门大学 ,  中国航发沈阳发动机研究所

Inventor： 孙道恒 ,  林帆 ,  张岩松 ,  海振银 ,  贺晓鹏 ,  武超 ,  潘晓川 ,  郭仁飞 ,  唐瑞 ,  孙国玉 ,  齐海涛

IPC: G01B7/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于薄膜传感器技术领域，具体公开了一种无温度干扰薄膜应变计及其制备方法，其中薄膜应变计包括绝缘基底和GNPs/SiCNO敏感层，所述GNPs/SiCNO敏感层设于绝缘基底上，所述GNPs/SiCNO敏感层由石墨纳米片填充的PSN2溶液沉积于绝缘基底表面并在氮气氛中热解形成。本发明通过韦森堡直写技术直写石墨烯纳米片掺杂的PSN2先驱体溶液，可实现薄膜厚度、线宽可调，实现被测构件上薄膜传感器图案化的原位制备；本发明制备的GNPs/SiCNO薄膜应变计温度不敏感范围为30‑300℃，最高温度比已报道的非干扰薄膜应变计高约200℃。

公开(公告)号：CN115574966A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211077486.X

申请日：2022-09-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 海振银 ,  孙道恒 ,  曾英俊 ,  陈国淳 ,  陈沁楠 ,  何功汉 ,  武超 ,  林帆 ,  潘晓川 ,  李劲 ,  吴文杰 ,  崔宇轩 ,  崔灿

IPC: G01K7/18 ,  G01K7/21

Abstract: 本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用，该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块，铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上，其中，用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括：45wt％～55wt％的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt％～35wt％的TiB2粉末、1.2wt％～2wt％Y2O3粉末及13.8wt％～23wt％的ZrO2粉末，前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上，引线设于压块与铂敏感栅之间，并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温(50℃至800℃)、小扰动及高温稳定性好等优势，有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。

公开(公告)号：CN114812374A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210334927.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 海振银 ,  孙道恒 ,  林帆 ,  武超 ,  潘晓川 ,  陈沁楠 ,  何功汉

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明提供一种TiB2‑SiCN陶瓷高温应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金基底、绝缘层、TiB2‑SiCN应变敏感层和金属引线。以高温合金为基底，在基底上形成绝缘层；直写金属引线；使用TiB2粉末掺杂的PSN2溶液直写敏感栅，在空气中经过热解之后形成TiB2‑SiCN敏感层，并在敏感层表面原位生长氧化保护层。本发明可直接制备在构件表面而不改变构件结构和环境流场，可实现构件表面应力/应变的原位测量；其自生长的氧化保护层可提高传感器在高温、高压、冲刷等恶劣环境中的性能、可靠性和寿命。