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公开(公告)号:CN115574966A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211077486.X
申请日:2022-09-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用,该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块,铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上,其中,用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括:45wt%~55wt%的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt%~35wt%的TiB2粉末、1.2wt%~2wt%Y2O3粉末及13.8wt%~23wt%的ZrO2粉末,前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上,引线设于压块与铂敏感栅之间,并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温(50℃至800℃)、小扰动及高温稳定性好等优势,有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。
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公开(公告)号:CN115900986A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211122127.1
申请日:2022-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种圆柱面前驱体陶瓷薄膜温度传感器及其制备装置、制备方法,该温度传感器包括圆柱面基底、陶瓷薄膜敏感栅、焊点、引线和固定件,陶瓷薄膜敏感栅和焊点通过曲面韦森堡直写成型技术共形敷设于圆柱面基底上并经过热解陶瓷化制得,焊点设置在陶瓷薄膜敏感栅上,引线与焊点连接,并且固定件盖合于焊点上。本发明能够实现在轴承、螺栓等圆柱面基底上原位制备陶瓷薄膜温度传感器,其传感器具有原位无损检测、极端环境耐受性强、对待测结构表面特性影响较小等优点;其制备装置和方法具有圆柱面图案化效率高、工艺简单等优点,为高温薄膜传感器走向实际应用提供新思路。
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公开(公告)号:CN217250235U
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202220427697.0
申请日:2022-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: B05C5/02
Abstract: 本实用新型适用于点胶设备技术领域,提供了一种基于韦森堡效应的新型点胶头装置,包括安装板、设置在安装板上的驱动机构、设置在安装板上且与驱动机构连接的点胶机构、以及与点胶机构连通的供液机构,点胶机构上端设有调节机构,调节机构包括套设在点胶机构的针灸座上的调节外套和调节座,调节座位于调节外套内。本实用新型通过设置在安装板上的驱动机构驱动点胶机构的针灸座转动,迫使高分子链液体在针灸针上产生韦森堡效应,实现稳定输运微量高分子液体的能力,通过旋转调节外套,进而带动调节座相对于点胶机构的上盖相对转动,实现旋转微调,进而实现高精度点胶距离的控制。
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