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公开(公告)号：CN113675716A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110935263.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S3/0933 , H01S3/063 , H01S3/08
Abstract: 本发明公开了LED泵浦多波长波导激光器及多波长波导激光器，包括：光学基体、LED泵浦光源、弯曲波导、第一增透膜、第一高反膜、第二高反膜、第三高反膜和滤光膜；其中，光学基体的一端面与LED泵浦光源的输出端相对；弯曲波导为多根且间隔掩埋设置在光学基体内，其两端分别延伸至光学基体两侧；第一增透膜设置在光学基体与LED泵浦光源输出端相对的端面上；第一高反膜设置在光学基体远离第一增透膜的端面；第二高反膜和第三高反膜均为多片且与弯曲波导一一对应并分别与弯曲波导的两端相对；滤光膜为多片且与多根弯曲波导一一对应并与弯曲波导的输出端相对；本方案体积小、加工可靠灵活、成本低且可实现多波长激光输出和易于与其他光电设备进行集成。
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公开(公告)号：CN110212078B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910514858.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN110120448A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910375275.6
申请日：2019-05-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。
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公开(公告)号：CN104634767A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510094227.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定被检测气体含量，原理简单，制作容易且探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN104465907A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L2933/0033
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545983A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410781867.9
申请日：2024-06-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/832 , H10H20/858 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品。其中，所述方法依序包括如下步骤：在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层，在氮化镓基外延层一表面制备若干曲面结构；在该曲面结构沿一第一方向依序沉积电流扩展层、曲面反射镜、过渡层，并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底；将区域金属基底一侧置于一临时衬底，去除原始衬底并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面；在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜，并制备电极；去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。本发明能够改善获得独立器件时的金属卷边和侧壁损伤、优化实验工艺，提升器件的光输出功率等性能。
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公开(公告)号：CN114824013B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202210549340.4
申请日：2022-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/819 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种柔性氮化镓基LED及其制备方法，属于光电子、发光显示领域；所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：衬底；依附于衬底的晶圆层；设置于晶圆层下表面的p型电极；设置于晶圆层的LED器件台面；设置于晶圆层上表面的n型电极；所述衬底为柔性材料制成；本发明可以制备具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件；相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在此基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
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公开(公告)号：CN115183202A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210851963.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种漫反射式激光照明装置，包括激光照明模块、入射激光光源和反射层；激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环，激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层，激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层；入射激光光源设于激光照明模块内环底部，反射层设于激光照明模块的顶部；部分激光光束进入激光照明模块内环漫反射改变光束方向后进入激光照明模块外环；部分激光至反射层反射后经漫反射进入激光照明模块外环；激光进入激光照明模块外环，部分激光照射至荧光粉颗粒完成转换，部分激光不能被充分吸收转换，照射至漫反射颗粒再次无规则地改变光束方向，所有光线从激光照明模块外环侧壁射出，最终实现均匀照明。
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公开(公告)号：CN113451464B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110692043.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 厦门大学 , 福建中晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN112510127B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011515819.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法，包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极；半导体外延层阵列包括多个半导体外延层，衬底上设有凸起的支撑柱阵列，支撑柱阵列包括多个支撑柱；支撑柱及衬底都由导电材料制成；半导体外延层的第一面与支撑柱的上表面连接，支撑柱的上表面面积小于半导体外延层的第一面面积，反射层覆盖于衬底的上表面及支撑柱的侧面上；半导体外延层的第二面与电极连接。这种悬浮LED器件将发光二极管的半导体外延层通过支撑柱支撑起，形成了悬浮的结构，由于半导体外延层与支撑柱的接触面积较小，半导体外延层内应力得以释放，因此有源区内量子斯塔克效应能被有效抑制，器件发光效率能得到显著提高。
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