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公开(公告)号：CN115183202B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210851963.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种漫反射式激光照明装置，包括激光照明模块、入射激光光源和反射层；激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环，激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层，激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层；入射激光光源设于激光照明模块内环底部，反射层设于激光照明模块的顶部；部分激光光束进入激光照明模块内环漫反射改变光束方向后进入激光照明模块外环；部分激光至反射层反射后经漫反射进入激光照明模块外环；激光进入激光照明模块外环，部分激光照射至荧光粉颗粒完成转换，部分激光不能被充分吸收转换，照射至漫反射颗粒再次无规则地改变光束方向，所有光线从激光照明模块外环侧壁射出，最终实现均匀照明。
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公开(公告)号：CN102593232B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210073222.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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公开(公告)号：CN102544184B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210073365.8
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。
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公开(公告)号：CN102969419A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210568649.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，涉及一种发光二极管。弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层；所述未掺杂的GaN层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱、P型AlGaN层和P型GaN层从下至上依次设在蓝宝石衬底上；所述介质层为SiO2层或SiN层。晶体质量较好，可提高LED的内量子效率，在弱极性面上实现非平面的有源层结构。
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公开(公告)号：CN102593232A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073222.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593804B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910112086.6
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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公开(公告)号：CN100544038C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710009957.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p-GaN顶层上设有p电极，在n-GaN层上设有n电极。
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公开(公告)号：CN1414642A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02154606.1
申请日：2002-11-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/072 , H01L27/14 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 涉及一种半导体器件，尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i－InP顶层/i－In0.53Ga0.47As光敏层/i－InP缓冲层/N+－InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散层，P+锌扩散层靠近i－In0.53Ga0.47As光敏层，但没有到达光敏层；工艺步骤为：在外延片上生长氧化铝钝化膜，以锌作为扩散源进行开管锌扩散；用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜，暗电流降低，信噪比提高，容易制备、成本低廉、结构改进，可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺，以及此膜可用于InP材料饨化膜和锌扩散的屏蔽掩膜，也可用于InP材料的抗反射膜，提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1250275A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN99119122.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经U1的解码——电阻组——U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经U2的解码——电阻组——U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
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公开(公告)号：CN112669728A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011630164.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G09F13/20
Abstract: 一种基于激光激发荧光粉的透射式显示实现办法，属于显示装置领域。设置显示实现装置壳体底部及侧面不透光壳；在壳体底部不透光壳中心位置设置入射窗口，以使入射激光光束能进入显示实现装置的壳体内部；在入射窗口布置入射激光光源；在壳体内底层填充一层不规则颗粒填充物作为漫反射层；在不规则颗粒填充物层上设置一层基板，在基板上下表面镀膜，基板上层设有显示面薄层；在壳体顶部设置显示面，在显示面上定制印刷相应的显示内容荧光粉涂层；开启入射激光光源，入射激光光束通过与氧化铝不规则颗粒填充物发生接触进行漫反射，从下至上通过漫反射层，散射后的激光照射到显示面的荧光粉图形，发光实现显示。显示色彩丰富、显示效果好，更耐用。
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