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发明公开
一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法无效

公开(公告)号：CN102969419A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210568649.4

申请日：2012-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱丽虹 , 刘宝林 , 刘维翠

IPC: H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/00

Abstract: 一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，涉及一种发光二极管。弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层；所述未掺杂的GaN层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱、P型AlGaN层和P型GaN层从下至上依次设在蓝宝石衬底上；所述介质层为SiO2层或SiN层。晶体质量较好，可提高LED的内量子效率，在弱极性面上实现非平面的有源层结构。

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