公开(公告)号：CN101789473B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010116025.X

申请日：2010-02-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  李晓莹

IPC: H01L33/04

Abstract: 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室，对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层，退火后得GaN基垂直结构发光二极管。

公开(公告)号：CN101789473A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010116025.X

申请日：2010-02-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  李晓莹

IPC: H01L33/04

Abstract: 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室，对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层，退火后得GaN基垂直结构发光二极管。

公开(公告)号：CN101593804A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910112086.6

申请日：2009-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  李晓莹

IPC: H01L33/00

Abstract: GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。

公开(公告)号：CN101593804B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910112086.6

申请日：2009-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  李晓莹

IPC: H01L33/00

Abstract: GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。