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公开(公告)号:CN112510127A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011515819.3
申请日:2020-12-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法,包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极;半导体外延层阵列包括多个半导体外延层,衬底上设有凸起的支撑柱阵列,支撑柱阵列包括多个支撑柱;支撑柱及衬底都由导电材料制成;半导体外延层的第一面与支撑柱的上表面连接,支撑柱的上表面面积小于半导体外延层的第一面面积,反射层覆盖于衬底的上表面及支撑柱的侧面上;半导体外延层的第二面与电极连接。这种悬浮LED器件将发光二极管的半导体外延层通过支撑柱支撑起,形成了悬浮的结构,由于半导体外延层与支撑柱的接触面积较小,半导体外延层内应力得以释放,因此有源区内量子斯塔克效应能被有效抑制,器件发光效率能得到显著提高。
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公开(公告)号:CN112510127B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202011515819.3
申请日:2020-12-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法,包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极;半导体外延层阵列包括多个半导体外延层,衬底上设有凸起的支撑柱阵列,支撑柱阵列包括多个支撑柱;支撑柱及衬底都由导电材料制成;半导体外延层的第一面与支撑柱的上表面连接,支撑柱的上表面面积小于半导体外延层的第一面面积,反射层覆盖于衬底的上表面及支撑柱的侧面上;半导体外延层的第二面与电极连接。这种悬浮LED器件将发光二极管的半导体外延层通过支撑柱支撑起,形成了悬浮的结构,由于半导体外延层与支撑柱的接触面积较小,半导体外延层内应力得以释放,因此有源区内量子斯塔克效应能被有效抑制,器件发光效率能得到显著提高。
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