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公开(公告)号:CN110097926B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN201910372001.1
申请日:2019-05-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种无定形芘芴类衍生物的载流子迁移率的预测方法,包括如下步骤:步骤1,基于绝热势能面法计算分子的电子和空穴重组能;步骤2,确定每种分子的密度,依此密度构建了每种分子的无定性格子模型;步骤3,利用高斯程序计算了无定形分子格子内主要传输路径中二聚体的电荷转移积分;步骤4,预测了该系列分子的电子和空穴迁移率;本发明可以预测出无定形芘芴类衍生物有机半导体材料的载流子迁移率的大小,对于研究材料的光电性能和新型有机光电材料的计的设计合成有很大的指导意义,研究对象包括但不局限于芘芴类衍生物。
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公开(公告)号:CN102891736B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201210384532.0
申请日:2012-10-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种应用于空天信息网络的异构链路帧长自适应方法,通过分析与比较一定周期T内选择自动重传过程中负反馈信号的个数与正反馈个数之比R,来动态调整传输帧长,使得信道的利用率达到极大值,综合提高了空天信息网络的通信能力,采用此自适应帧长可以更准确感知空天信息网络链路受到的干扰影响,从而提高网络通信效率。所述的空天信息网络至少包括一颗同步卫星,一组低轨卫星和一个地面控制中心;地球站和卫星之间传送信号载波,一个地面控制中心管理若干邻近的地球站,向其发送控制信息,主要用于在环境等因素对卫星信号链路产生的干扰情况下提高信道利用率。
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公开(公告)号:CN102425933A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201110245403.9
申请日:2011-08-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法,整个控制系统由单片机控制,该装置包括带金属棒的熔炼炉和加热部分;熔炼炉(8)的顶部设有原料进出口塞(1),在原料进出口塞(1)的中间设有抽真空管道(7);在熔炼炉(8)的上部的侧面设有保护气出入口(2),在熔炼炉(8)的中间沿轴向设有加热用金属棒(5),在熔炼炉(8)的旁边与熔炼炉(8)平行设有电磁线圈移动轨道(6),电磁线圈加热环(3)设置在电磁线圈移动轨道上,电磁线圈加热环(3)的线圈环绕在熔炼炉的外侧;熔炼炉和电磁线圈移动轨道都固定在基座(4)上。本发明的纯化系统可实现公斤级聚合物半导体的高纯化,同时控制系统简便,制造成本低廉。
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公开(公告)号:CN118146173A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410276403.2
申请日:2024-03-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D271/107 , H10K50/16 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及有机半导体材料技术领域,公开了有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料及其制备方法和应用;有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料以4‑(叔丁基)[D4]‑苯并肼或4‑(叔丁基)苯并肼与2‑([D9]‑[1,1’联苯]‑4‑基)‑2‑氧乙酸为原料通过电化学合成2‑(4’‑叔丁基‑[D4]‑苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑或2‑(4’‑叔丁基苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑;将它们掺杂制备的器件在载流子迁移率和使用寿命方面有着优异的表现性质;可以在不需要金属催化剂、外部氧化剂或碱的条件下合成。
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公开(公告)号:CN108276265B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201711406948.7
申请日:2017-12-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C45/78 , C07C45/81 , C07C49/675 , C07C49/697
Abstract: 本发明属于有机物提纯操作领域,具体涉及一种分离9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮的方法。该方法为将9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮完全溶解于溶剂对二甲苯中得到溶液;取上清溶液于区域熔炼试管,冷凝处理;再向区域熔炼试管中加入溶剂对二甲苯,继续冷凝处理至完全凝固;进行区域熔炼纯化实验,区域熔炼次数为5次,前2次调节纯化仪器的实验温度为60‑70℃,实验速度为9‑11mm/h,后3次调节纯化仪器的实验温度为40‑45℃,实验速度为6‑8mm/h;将区域熔炼试管分段标号;除去每段样品的溶剂对二甲苯并进行HPLC检测。本发明解决了9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮在区域熔炼出现杂质被烧坏及热分解问题以及过饱和状态问题。
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公开(公告)号:CN105548267A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610025150.7
申请日:2016-01-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/02
CPC classification number: G01N27/026
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。
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公开(公告)号:CN102661980B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201110441157.4
申请日:2011-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 采用动态导纳谱学仪器的化学动力学测试方法,该动态导纳谱学仪器包括以下部分:信号发生器(1)、化学反应器和信号发生器的接口(2)、数据采集电路和测量电路(3)、采集测量电路与计算机的接口(4)、数据处理和显示器(5);信号发生器(1)实时产生激励信号,通过化学反应器和信号发生器的接口(2)进入化学反应器(6),数据采集电路和测量电路(3)对两路输出的信号进行实时测量和采集,通过采集测量电路与计算机的接口(4)将处理结果传输到计算机中,最后有数据处理和显示器(5)进行数据处理和显示。由于激励信号的幅值很小,为检测微弱信号,电压输出需经放大后进行数据采集处理,通过通信接口将处理结果传输到计算机中,进行后续处理,最后显示和存储测量结果。
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公开(公告)号:CN102890229A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201210384586.7
申请日:2012-10-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于导纳谱原理研究有机半导体性能的方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论导纳模型,见公式1,采用最小二乘原理拟合有机半导体器件的电容、电导、阻抗的虚部或阻抗的实部,得出载流子迁移率以及有机层半导体的色散参数、。本发明优点:⑴直接测量有机半导体在实际器件中的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能;⑵不仅能够测量有机半导体的载流子迁移率,而且还可以测出表征其自身性能的色散参数;⑶与传统的TOF技术相比,能够节约成本:首先,TOF要求待测有机半导体的厚度要达到微米级,这对于有些材料,尤其是许多新材料而言,代价是十分昂贵的。
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公开(公告)号:CN102661980A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201110441157.4
申请日:2011-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 采用动态导纳谱学仪器的化学动力学测试方法,该动态导纳谱学仪器包括以下部分:信号发生器(1)、化学反应器和信号发生器的接口(2)、数据采集电路和测量电路(3)、采集测量电路与计算机的接口(4)、数据处理和显示器(5);信号发生器(1)实时产生激励信号,通过化学反应器和信号发生器的接口(2)进入化学反应器(6),数据采集电路和测量电路(3)对两路输出的信号进行实时测量和采集,通过采集测量电路与计算机的接口(4)将处理结果传输到计算机中,最后有数据处理和显示器(5)进行数据处理和显示。由于激励信号的幅值很小,为检测微弱信号,电压输出需经放大后进行数据采集处理,通过通信接口将处理结果传输到计算机中,进行后续处理,最后显示和存储测量结果。
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公开(公告)号:CN118027072A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410134126.1
申请日:2024-01-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一类以氘代菲罗啉衍生物为配体的八配位铕(III)配合物材料及其制备方法,属于有机半导体发光技术领域,该配合物材料具有如式(Ⅰ)所示的结构式。该类材料采用D2O进行氘代化反应分别合成了[D8]‑1,10‑菲罗啉配体和[D10]‑二苯甲酰基甲烷配体,并与三氯化铕六水合物进行配合。当X为H时,合成了八配位的铕(III)配合物[D8]‑Eu(DBM)3Phen;当X为D时,合成了[D8]‑Eu([D10]‑DBM)3Phen。该类配合物采用具有氘元素叠氮共轭结构的菲罗啉为配体,使此类铕(III)配合物通过逐步氘化在热力学稳定性和有机金属配合物发光性能方面有更好的表现。
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