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公开(公告)号：CN110097926B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910372001.1
申请日：2019-05-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种无定形芘芴类衍生物的载流子迁移率的预测方法，包括如下步骤：步骤1，基于绝热势能面法计算分子的电子和空穴重组能；步骤2，确定每种分子的密度，依此密度构建了每种分子的无定性格子模型；步骤3，利用高斯程序计算了无定形分子格子内主要传输路径中二聚体的电荷转移积分；步骤4，预测了该系列分子的电子和空穴迁移率；本发明可以预测出无定形芘芴类衍生物有机半导体材料的载流子迁移率的大小，对于研究材料的光电性能和新型有机光电材料的计的设计合成有很大的指导意义，研究对象包括但不局限于芘芴类衍生物。
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公开(公告)号：CN114133406A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111402700.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，涉及一种铕（Ⅲ）的共轭有机配合物及其制备方法和应用，利用β‑二酮类配体二苯甲酰甲烷(DBM)和芘基团对称修饰的中性配体3,8‑二芘‑1,10‑菲咯啉(PhenPy2)与铕（Ⅲ）配合，合成铕（Ⅲ）四元配合物[Eu(DBM)3PhenPy2]，该配合物通过在中性配体1,10‑菲啰啉的3,8位引入芘基团修饰，既增大空间效应抑制分子聚集猝灭，又引入大π共轭芳环结构增加配体中氮原子的电子云密度，提高载流子传输能力，从而提高了荧光量子产率，且由该材料掺杂制备的器件在发光效率、化学稳定性、载流子迁移率等方面有着优异的表现。
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公开(公告)号：CN111253285A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010109374.2
申请日：2020-02-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C253/30 , C07C255/54 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种基于三联苯衍生物的高荧光量子效率材料及其制备方法，该材料是含有三联苯的结构体系，其左右两端以氰基封端，同时在上下两端以烷氧端基封端。本发明首次将苯氰单元与双烷氧取代的溴苯相连，解决了未经掺杂的有机半导体小分子材料在固态和溶液状态无法同时具有高荧光量子效率的问题。本发明的基于三联苯衍生物的高荧光量子效率材料在固体状态下有近90％的荧光量子效率，在溶液状态下有近100的荧光量子效率。在生物探针、传感器，电致发光器件等方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN104504232B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410580152.3
申请日：2014-10-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏最小二乘支持向量机的4‑CBA含量软测量方法，该方法选择PX氧化过程有关过程变量作为模型的输入,要预测的4‑CBA含量作为模型的输出,选取历史运行数据作为初始训练样本；采用遗传算法对最小二乘支持向量机模型进行稀疏化和参数优化，定义了包括稀疏率、训练误差及测试误差在内的适应度函数，取适应度最小的个体对应的保留的训练样本及优化参数建立最小二乘支持向量机模型。本发明提出的稀疏最小二乘支持向量机软测量方法能同时实现稀疏化和参数优化，能极大地减小最小二乘支持向量机模型的规模，同时能实现对4‑CBA含量的精确预测。
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公开(公告)号：CN102425933A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110245403.9
申请日：2011-08-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法，整个控制系统由单片机控制，该装置包括带金属棒的熔炼炉和加热部分；熔炼炉（8）的顶部设有原料进出口塞（1），在原料进出口塞（1）的中间设有抽真空管道（7）；在熔炼炉（8）的上部的侧面设有保护气出入口（2），在熔炼炉（8）的中间沿轴向设有加热用金属棒（5），在熔炼炉（8）的旁边与熔炼炉（8）平行设有电磁线圈移动轨道（6），电磁线圈加热环（3）设置在电磁线圈移动轨道上，电磁线圈加热环（3）的线圈环绕在熔炼炉的外侧；熔炼炉和电磁线圈移动轨道都固定在基座（4）上。本发明的纯化系统可实现公斤级聚合物半导体的高纯化，同时控制系统简便，制造成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118146173A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410276403.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D271/107 , H10K50/16 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及有机半导体材料技术领域，公开了有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料及其制备方法和应用；有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料以4‑(叔丁基)[D4]‑苯并肼或4‑(叔丁基)苯并肼与2‑([D9]‑[1,1’联苯]‑4‑基)‑2‑氧乙酸为原料通过电化学合成2‑(4’‑叔丁基‑[D4]‑苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑或2‑(4’‑叔丁基苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑；将它们掺杂制备的器件在载流子迁移率和使用寿命方面有着优异的表现性质；可以在不需要金属催化剂、外部氧化剂或碱的条件下合成。
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公开(公告)号：CN114437118A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210092522.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种噻吩基菲咯啉铕(Ⅲ)配合物材料及其制备方法和应用，所述材料为含有噻吩基团的中性菲咯啉配体与β‑二酮衍生物二苯甲酰基甲烷的铕(Ⅲ)配合物材料，具有如式(Ⅰ)所示的结构式。采用Suzuki偶联反应合成了1,10‑菲咯啉衍生物配体3,8‑二(噻吩‑2‑基)‑1,10‑菲罗啉，并与β‑二酮衍生物二苯甲酰基甲烷作为辅助配体合成四元铕(III)配合物Eu(DBM)3PhenThi2。该配合物引入了具有杂原子S元素的噻吩集团，探索杂原子对有机金属配合物发光和电荷传输性能的影响。由该材料掺杂制备的器件在发光效率、化学稳定性、载流子迁移率等方面有着优异的表现。
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公开(公告)号：CN108276265B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201711406948.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C45/78 , C07C45/81 , C07C49/675 , C07C49/697
Abstract: 本发明属于有机物提纯操作领域，具体涉及一种分离9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮的方法。该方法为将9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮完全溶解于溶剂对二甲苯中得到溶液；取上清溶液于区域熔炼试管，冷凝处理；再向区域熔炼试管中加入溶剂对二甲苯，继续冷凝处理至完全凝固；进行区域熔炼纯化实验，区域熔炼次数为5次，前2次调节纯化仪器的实验温度为60‑70℃，实验速度为9‑11mm/h，后3次调节纯化仪器的实验温度为40‑45℃，实验速度为6‑8mm/h；将区域熔炼试管分段标号；除去每段样品的溶剂对二甲苯并进行HPLC检测。本发明解决了9‑芴酮和2‑溴‑9‑芴酮在区域熔炼出现杂质被烧坏及热分解问题以及过饱和状态问题。
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公开(公告)号：CN105808961A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610158868.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种指导区域熔炼实验的方法，利用塔板理论和物料平衡结合区域熔炼基本原理来进行推导，在推导过程中引进概念和假设来简化过程，进一步构成基于区域熔炼原理的新理论模型。本发明的模型可以计算到五个周期甚至更多周期的浓度分布，对以后的实验有很好的指导作用，通过该模型的计算可以知道纯化多少周期可以达到想要的纯度、纯化产率如何、纯化多少周期能达到实验的极限，大大促进了区域熔炼的工业化进程。最后该模型除了能应用到有机物区域熔炼，通过一些参数的修改还可以应用到无机物甚至金属的区域熔炼实验中。
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公开(公告)号：CN105548267A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610025150.7
申请日：2016-01-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/02
CPC classification number: G01N27/026
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λTrap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。
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