公开(公告)号：CN105548267A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610025150.7

申请日：2016-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐超 ,  翟文娟 ,  窦国生 ,  徐慧 ,  邱少亚 ,  刘瑞兰 ,  戎舟 ,  姜兵 ,  庞宗强 ,  黄维

IPC: G01N27/02

CPC classification number: G01N27/026

Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λTrap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。

公开(公告)号：CN105548267B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610025150.7

申请日：2016-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐超 ,  翟文娟 ,  窦国生 ,  徐慧 ,  邱少亚 ,  刘瑞兰 ,  戎舟 ,  姜兵 ,  庞宗强 ,  黄维

IPC: G01N27/02

Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λTrap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。