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发明公开
用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法无效

公开(公告)号：CN102425933A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110245403.9

申请日：2011-08-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐超 , 黄维 , 徐德锋 , 戎舟 , 刘瑞兰 , 徐慧

IPC: F27B1/09 , C08G61/02

Abstract: 本发明是一种用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法，整个控制系统由单片机控制，该装置包括带金属棒的熔炼炉和加热部分；熔炼炉（8）的顶部设有原料进出口塞（1），在原料进出口塞（1）的中间设有抽真空管道（7）；在熔炼炉（8）的上部的侧面设有保护气出入口（2），在熔炼炉（8）的中间沿轴向设有加热用金属棒（5），在熔炼炉（8）的旁边与熔炼炉（8）平行设有电磁线圈移动轨道（6），电磁线圈加热环（3）设置在电磁线圈移动轨道上，电磁线圈加热环（3）的线圈环绕在熔炼炉的外侧；熔炼炉和电磁线圈移动轨道都固定在基座（4）上。本发明的纯化系统可实现公斤级聚合物半导体的高纯化，同时控制系统简便，制造成本低廉。

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