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公开(公告)号：CN102890229A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210384586.7
申请日：2012-10-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于导纳谱原理研究有机半导体性能的方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论导纳模型，见公式1，采用最小二乘原理拟合有机半导体器件的电容、电导、阻抗的虚部或阻抗的实部，得出载流子迁移率以及有机层半导体的色散参数、。本发明优点：⑴直接测量有机半导体在实际器件中的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能；⑵不仅能够测量有机半导体的载流子迁移率，而且还可以测出表征其自身性能的色散参数；⑶与传统的TOF技术相比，能够节约成本：首先，TOF要求待测有机半导体的厚度要达到微米级，这对于有些材料，尤其是许多新材料而言，代价是十分昂贵的。
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