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公开(公告)号：CN119753623A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410023492.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/52 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO3粉末、洁净的SiO2/Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO3粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的Ar/O2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2/Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO2/Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS2薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μm~78μm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。
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公开(公告)号：CN115050846A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210652194.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法。所述的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器包含衬底、MoS2薄片、Ta2NiSe5薄片和金属源漏电极，MoS2薄片位于Ta2NiSe5薄片上方且与Ta2NiSe5薄片部分相堆叠。本发明的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器不仅在小偏压下提高了MoS2对可见光的响应度，还实现了对红外光的探测。
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公开(公告)号：CN112158810A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011094874.X
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B19/00 , B82Y40/00 , H01L29/165 , H01L29/18
Abstract: 本发明公开了一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片的方法，包括：将单质粉末源In、Ge、Te单质粉末按照预设比例均匀混合，在第一预设温度下烧结第一预设时间，制得InGeTe3粉末；选取第二石英管，在第一位置处形成缩颈部；将第一质量的InGeTe3粉末和第二质量的输运剂混合均匀后放入第二石英管底部；将衬底片放入第二石英管缩颈部和开口端部之间，对第二石英管进行真空封管；将第二石英管放入双温区管式炉内加热，冷却并取出，即在衬底上获得二维InGeTe3纳米片。本发明提供了一种化学工程简单、易于工业化生产、反应周期短、重复性好的化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法。
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公开(公告)号：CN110371935A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910616307.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了新型三元二维材料纳米片的制备方法，属于纳米片制备技术领域。本发明利用真空封管技术将高纯度单质烧结成高质量的InGeTe3单晶，并通过将合成得到的InGeTe3粉末加入有机溶剂中，在恒温条件下，用超声波对该溶液进行液相剥离处理，即可得到在有机溶剂中均匀分散、厚度极小的InGeTe3纳米片。本方法可实现高质量单晶的生成；结合有机溶剂，利用液相超声剥离法，实现高效率、重复性好、可控性强的二维InGeTe3纳米片的制备。本发明化学工程简单、生产成本较低、反应周期短、重复性好的优点，适合于大规模制备二维InGeTe3纳米片。
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公开(公告)号：CN107790737B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201711216503.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锂插层法制备锑烯。所述方法先将正丁基锂的己烷溶液与锑粉放在高压反应釜中水热，一方面形成Li3Sb，另一方面Li+插入层间，然后加入异丙醇的水溶液反应，此时会生成SbH3和H2两种气体，一定程度地破坏层间的范德华力，最后超声辅助成片。本发明方法效率高、产率高、可重复性高，制得的锑烯尺寸大，可以实现少层锑烯的大规模制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109607470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811377586.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锑烯纳米片的制备方法。所述方法以纯锑粉末为前驱体，多晶铜箔片为衬底，常压下，设置气体氛围流量比为Ar:H2＝100～300:10～50sccm，在640～690℃下进行物理气相沉积3～19min，衬底温度为150～250℃，得到生长在多晶铜箔片上的三角形或梯形的锑烯纳米片。本发明方法操作简单，在常压下进行，制备的三角形或梯形锑烯纳米片形核密度大，纯度高，化学性质稳定，长度为25nm～10um，厚度可以调控在2nm～110nm。
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公开(公告)号：CN105129780B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510469118.3
申请日：2015-08-03
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种自支撑三维石墨烯的制备方法。所述自支撑三维石墨烯以六甲基四胺为发泡剂，以葡萄糖为碳源，加热至一定温度并保温一定时间，随后冷却至室温制备，通过该改变反应温度和碳源/发泡剂质量比来控制发泡效果。本发明以含氮有机小分子为发泡剂，不仅对制备三维石墨烯起良好的发泡效果，还引入氮原子，对石墨烯进行化学掺杂，根据理论计算，相较于未经掺杂的石墨烯，化学掺杂之后的石墨烯电流传输能力显著提高，实际使用性能大幅提高。
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公开(公告)号：CN112323143B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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公开(公告)号：CN112447858A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011185135.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型二硫化钨薄膜、P型InGeTe3薄膜、源电极、漏电极和顶栅电极，N型二硫化钨薄膜设于衬底的表面，源电极与漏电极设于N型二硫化钨薄膜表面的两端，P型InGeTe3薄膜设于N型二硫化钨薄膜表面且位于源电极与漏电极之间，顶栅电极设于P型InGeTe3薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将WS2和InGeTe3应用于JFET中，通过调控P型InGeTe3薄膜的电压来实现N型二硫化钨薄膜中耗尽区的宽度，实现沟道电导的调节，确保抑制界面缺陷的产生，减少界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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公开(公告)号：CN110255525A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910389788.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，包括如下步骤：首先对Au衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，去除表面的杂质，得到洁净的Au衬底；然后以黑磷为前驱体，在洁净的Au衬底上分子束外延沉积磷原子，并同时沉积C60分子，得到P+C60/Au；最后对P+C60/Au进行逐步升温退火，得到具有明显缺陷的单层蓝磷表面。本发明制得的蓝磷表面具有合适数量的明显缺陷，缺陷密度高、分散性好、分布均匀，使蓝磷表面具有更多的活性位点，且制备过程简单，无有害物质产生，易于制备，生产效率高，适合大规模制备。
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