公开(公告)号：CN119753623A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410023492.X

申请日：2024-01-08

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  吴林祥 ,  邓会琼 ,  熊云海 ,  曾海波 ,  宋秀峰 ,  刘本强

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO3粉末、洁净的SiO2/Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO3粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的Ar/O2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2/Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO2/Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS2薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μm~78μm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。