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公开(公告)号：CN110714224B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910876632.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，包括步骤1：对Cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，以去除表面的杂质，得到洁净的Cu(111)衬底；步骤2：对Cu(111)衬底进行氧化处理，得到氧化层Cu2O(111)衬底；步骤3：以黑磷为前驱体，在Cu2O(111)衬底上用分子束外延的方法沉积磷原子，得到P/Cu2O(111)；步骤4：对P/Cu2O(111)进行升温以退火，得到大面积均匀单层蓝磷表面。本发明实现了规则蓝磷表面的大规模制备，制得的蓝磷表面无杂质污染，在电子和光电器件领域具有巨大的潜在应用价值，且制备过程简单，无有害物质产生，生产效率高，适合大规模推广。
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公开(公告)号：CN110714224A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910876632.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，包括步骤1：对Cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，以去除表面的杂质，得到洁净的Cu(111)衬底；步骤2：对Cu(111)衬底进行氧化处理，得到氧化层Cu2O(111)衬底；步骤3：以黑磷为前驱体，在Cu2O(111)衬底上用分子束外延的方法沉积磷原子，得到P/Cu2O(111)；步骤4：对P/Cu2O(111)进行升温以退火，得到大面积均匀单层蓝磷表面。本发明实现了规则蓝磷表面的大规模制备，制得的蓝磷表面无杂质污染，在电子和光电器件领域具有巨大的潜在应用价值，且制备过程简单，无有害物质产生，生产效率高，适合大规模推广。
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公开(公告)号：CN110255525A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910389788.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，包括如下步骤：首先对Au衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，去除表面的杂质，得到洁净的Au衬底；然后以黑磷为前驱体，在洁净的Au衬底上分子束外延沉积磷原子，并同时沉积C60分子，得到P+C60/Au；最后对P+C60/Au进行逐步升温退火，得到具有明显缺陷的单层蓝磷表面。本发明制得的蓝磷表面具有合适数量的明显缺陷，缺陷密度高、分散性好、分布均匀，使蓝磷表面具有更多的活性位点，且制备过程简单，无有害物质产生，易于制备，生产效率高，适合大规模制备。
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