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公开(公告)号：CN112447858A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011185135.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型二硫化钨薄膜、P型InGeTe3薄膜、源电极、漏电极和顶栅电极，N型二硫化钨薄膜设于衬底的表面，源电极与漏电极设于N型二硫化钨薄膜表面的两端，P型InGeTe3薄膜设于N型二硫化钨薄膜表面且位于源电极与漏电极之间，顶栅电极设于P型InGeTe3薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将WS2和InGeTe3应用于JFET中，通过调控P型InGeTe3薄膜的电压来实现N型二硫化钨薄膜中耗尽区的宽度，实现沟道电导的调节，确保抑制界面缺陷的产生，减少界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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公开(公告)号：CN112447858B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011185135.1
申请日：2020-10-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型二硫化钨薄膜、P型InGeTe3薄膜、源电极、漏电极和顶栅电极，N型二硫化钨薄膜设于衬底的表面，源电极与漏电极设于N型二硫化钨薄膜表面的两端，P型InGeTe3薄膜设于N型二硫化钨薄膜表面且位于源电极与漏电极之间，顶栅电极设于P型InGeTe3薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将WS2和InGeTe3应用于JFET中，通过调控P型InGeTe3薄膜的电压来实现N型二硫化钨薄膜中耗尽区的宽度，实现沟道电导的调节，确保抑制界面缺陷的产生，减少界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110342472A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910616305.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明提供了一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法，首先将In、Ge以及Te三种纯元素按照化学计量比进行混合后封入石英管，利用真空封管烧结技术制得InGeTe3单晶，然后用思高胶带反复撕粘至思高胶带表面无明显起伏，再用热缓释胶带作为转移介质，将单晶转移到其上，再将热缓释胶带上的InGeTe3单晶转移到硅片上，最后利用思高胶带对硅片上的InGeTe3单晶反复撕粘多次，使其减薄，以得到InGeTe3单晶的二维超薄材料。本发明根据热缓释胶带在一定温度下黏性消失的特性，可实现高效率，高产量的转移，保证了转移到硅片上的单晶数量和尺寸适中，为后续在硅片上的再次剥离以得到产率相对较高的超薄少层二维材料提供了保障。
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公开(公告)号：CN112158810A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011094874.X
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B19/00 , B82Y40/00 , H01L29/165 , H01L29/18
Abstract: 本发明公开了一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片的方法，包括：将单质粉末源In、Ge、Te单质粉末按照预设比例均匀混合，在第一预设温度下烧结第一预设时间，制得InGeTe3粉末；选取第二石英管，在第一位置处形成缩颈部；将第一质量的InGeTe3粉末和第二质量的输运剂混合均匀后放入第二石英管底部；将衬底片放入第二石英管缩颈部和开口端部之间，对第二石英管进行真空封管；将第二石英管放入双温区管式炉内加热，冷却并取出，即在衬底上获得二维InGeTe3纳米片。本发明提供了一种化学工程简单、易于工业化生产、反应周期短、重复性好的化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法。
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公开(公告)号：CN110371935A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910616307.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了新型三元二维材料纳米片的制备方法，属于纳米片制备技术领域。本发明利用真空封管技术将高纯度单质烧结成高质量的InGeTe3单晶，并通过将合成得到的InGeTe3粉末加入有机溶剂中，在恒温条件下，用超声波对该溶液进行液相剥离处理，即可得到在有机溶剂中均匀分散、厚度极小的InGeTe3纳米片。本方法可实现高质量单晶的生成；结合有机溶剂，利用液相超声剥离法，实现高效率、重复性好、可控性强的二维InGeTe3纳米片的制备。本发明化学工程简单、生产成本较低、反应周期短、重复性好的优点，适合于大规模制备二维InGeTe3纳米片。
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公开(公告)号：CN112158810B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202011094874.X
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B19/00 , B82Y40/00 , H01L29/165 , H01L29/18
Abstract: 本发明公开了一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片的方法，包括：将单质粉末源In、Ge、Te单质粉末按照预设比例均匀混合，在第一预设温度下烧结第一预设时间，制得InGeTe3粉末；选取第二石英管，在第一位置处形成缩颈部；将第一质量的InGeTe3粉末和第二质量的输运剂混合均匀后放入第二石英管底部；将衬底片放入第二石英管缩颈部和开口端部之间，对第二石英管进行真空封管；将第二石英管放入双温区管式炉内加热，冷却并取出，即在衬底上获得二维InGeTe3纳米片。本发明提供了一种化学工程简单、易于工业化生产、反应周期短、重复性好的化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法。
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公开(公告)号：CN112126431A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011052131.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种碳量子点修饰的黑磷量子点纳米粒子，所述碳量子点修饰的黑磷量子点纳米粒子由碳源溶液和黑磷量子点通过溶剂热方法形成。其中所述碳源是PEG400、柠檬酸以及葡萄糖其中一种或多种的组合。采用以上技术方案，碳量子点修饰的黑磷量子点纳米粒子提高了黑磷量子点的化学稳定性，且碳量子点具有一定的光热效果，生物安全性较高，可以与黑磷量子点发生协同作用从而增强光热效果。且该制备方法简单、成本低廉。
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