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公开(公告)号：CN115050846A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210652194.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法。所述的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器包含衬底、MoS2薄片、Ta2NiSe5薄片和金属源漏电极，MoS2薄片位于Ta2NiSe5薄片上方且与Ta2NiSe5薄片部分相堆叠。本发明的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器不仅在小偏压下提高了MoS2对可见光的响应度，还实现了对红外光的探测。
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